nand flash 寻址

一些概念：

1、NandFlash的数据是以bit 的方式保存在memory cell里的，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit，这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line 组成Page， page 再组织形成一个Block。

2、对于NAND Flash 来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。

3、NandFlash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。

 

一、以三星K9F1208 flash为例，总容量=4096blocks * 32(page/block)*512(byte/page) = 64M

即1block=32pages；1page=512byte(data area)+16bye(apare area)=528bye

读命令有两个，分别是 Read1,Read2其中Read1用于读取Data Field的数据，而Read2则是用于读取Spare Field的数据。对于Nand Flash来说，读操作的最小操作单位为Page，也就是说当我们给定了读取的起始位置后，读操作将从该位置开始，连续读取到本Page的最后一个 Byte为止（可以包括Spare Field）

要定位到flash中的某个byte地址要用到一下4个地址：

1、Column Address --  表示数据在半页中的地址 ，大小范围为0~255 ，用8位 可以表示 即 A[7:0]

2、halfpage pointer -- 表示半页在整页中的位置 ，即在0~255空间还是在256~511空间，用1位 即可表示，A[8]表示；

3、Page Address -- 表示页在块中的地址（即此页在此块中是第多少页，在0~31中选） ，大小范围0~31，用5位 表示，即A[13:9]表示；

4、Block Address -- 表示块在flash中的位置(即此块在flash中的位置--编号，在0~4095中选） ，大小范围0~4095，用12位 可以表示，即A[25:14] 表示；

综上，要想定位到flash上的某一个byte需要将上面的四种地址拼合在一起形成完整的地址，地址（NAND_ADDR）完整表示如下:

A[25:14]	A[13:9]	A[8]	A[7:0]
Block Address	Page Address	halfpage pointer	Column Address

 

由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此A[25:0]即26为地址只能分步顺序传入I/O[7:0]中，即串行方式一步一步传入。

第一步、传递Column Address，即NAND_ADDR[7:0]不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer 即bit8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读写。而真正的bit8 的值是don't care 的。K9F1208提供了两个读指令，‘0x00’、‘0x01’。这两个指令区别在于‘0x00’可以将A[8]置为0，选中上半页；而‘0x01’可以将A[8]置为1，选中下半页。

第二步、将NAND_ADDR右移9位，即NAND_ADDR[16:9]传递到I/O[7:0]

第三步、将NAND_ADDR再右移8位，NAND_ADDR[24:17]放到I/O 上

第四步、将NAND_ADDR再右移8位，将NAND_ADDR[25]放到I/O上

四步后，整个地址传递完成，即4-step addressing---4个cycle

代码实现见 http://www.dzsc.com/data/html/2009-5-31/76525.html

和http://blog.csdn.net/abc19842008/archive/2008/01/22/2059480.aspx