关于MOS功率与选型，网上资料的整理

MOS管自身的功率 P = VDS * ID，VDS = ID * Rds，Rds是MOS管得导通电阻，可以通过查看芯片手册得知RDS。

MOS管的实际功耗是怎样计算的呢?各位大神，最近迷茫中:P=U*I还是I*I*Rds(on)呢?

这两个计算方法是矛盾的啊:比如一款英飞凌的MOS，BSC0911ND ，特性图上标明Rds(on)是毫欧级别，并且在Vds不大的时候，基本上不变，使用灯泡是12V，50W的，希望通过调节电位器控制电流从而控制灯泡亮度

1.假如现在调节Vds使Id=1A，那么灯泡分压约为3V，Vds=9V，ID=1A，P=UI=9W; 而如果用I*I*R，则P为3mW. 应该用哪一个公式来算呢?

2.网上看资料说:管子温度=功耗*热阻+环境温度，而比如IRF520N的热阻是65度/W，那么就是说，如果用UI=9W算。。他的温度已经吊炸天了。。

3.MOS管子的额定功率 45W代表什么啊，算上热阻转换来的温度的话根本就不可能达到，这个值就没有意义吧?

回答：手册中给出的通态电阻，是完全导通后的最小值。如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

关于MOS选型

第一步：选用N沟道还是P沟道

低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS

根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

第二步：确定额定电流

额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。

MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。

第三步：确定热要求

器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。

第四步：决定开关性能

选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。

详细的MOS管的选型可以参考资料3

参考资料：

1、http://wenda.so.com/q/1386177660065413?src=140

2、http://wenda.so.com/q/1384391848064364?src=140

3、http://www.elecfans.com/dianyuan/296136.html