朱老师ARM裸机学习笔记（三）：CPU和与外部存储器的接口

内存和外存的概念

内存

内存指 内部存储器，运行程序的地方 RAM

外存

外存指 外部存储器， 保存数据或者文件的地方 ROM

CPU连接内存和外存的方式

内存通过数据总线和地址总线直接和CPU 相连接。
好处 ： 访问速度快，操作方式方便
坏处 ： 占用CPU地址空间

外存通过CPU的外存控制器接口和CPU 相连接。
好处 ： 不占用CPU I/O资源
坏处 ： 读取速度较慢，访问外存控制器的时序较为复杂。

SOC常用的外部存储器类型

NOR Flash
最早出现的Flash存储器，支持总线式访问，代码可以直接在Nor中运行，CPU可以像访问内存一样访问Nor Flash，在嵌入式发展到额初期阶段常用于存储启动代码，例如s3c2440开发板的Nor Flash启动。

Nand Flash
集成密度高，存储空间较大，相对于Nor来说很便宜，读取速度比Nor慢，写入速度比Nor快，需要专门的读写电路。但是稳定性不如Nor，会出现坏块，读写数据需要校验。此外Nand Flash 还分为 SLC颗粒和MLC颗粒，详细情况见后文。

SATA硬盘

改进版的Nand Flash

SD卡/TF卡/MMC卡
eMMC/iNand/moviNand
(Embedded Multi Media Card) MMC协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存。
iNAND是SanDisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成SD卡或MMC卡芯片化。用户完全可以默认他是SD卡或者MMC卡。
moviNand是三星公司研发的存储芯片，功能类似于iNand。
OneNand
三星公司研发的结合Nor优点和Nand Flash 高容量存储特点的Flash
eSSD
Embeded SSD 采用 MLC Nand Flash技术
此几类Flash都是基于Nand Flash 的 都是在Nand Flash的基础上加入读写控制电路以及检验和坏块检测电路等制成的。

Nand Flash的SLC 和MLC对比

SLC（Single-Level Cell ）单层单元闪存，每个单元存储一位数据，一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。

MLC（Multi-Level Cell) 多层单元闪存，通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。

A.读写速度较慢。相对主流SLC芯片，MLC芯片目前技术条件下，理论速度只能达到2MB左右，因此对于速度要求较高的应用会有一些问题。
B.MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
C.MLC理论写入次数上限相对较少，因此在相同使用情况下，使用寿命比较SLC短。
D.MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。

S5PV210所支持的外部存储器