nand flash 读写操作

1、页读

如下所示，先输入读命令 0x00 ，然后输入5个地址，分为2个列地址（页内地址）和3个行地址（页和block地址），再输入读确认地址0x30，nand硬件会自动从指定的页的主存储区读数据到页缓存（页寄存器），此时R/B#为低电平，当内部读完成后，  R/B# 恢复为高电平，此时便可以通过NFC的数据寄存器读取想要的数据。

2、Random data output （随机读）

如下图，前部分跟上面提到的一致，再输入30确认读后，读出想要的页的内容。此时若想继续读此页怎么办？？？

输入05、2个页内地址、E0，然后硬件会从指定的页内地址继续读出数据。

3、页编程

如下图，编程的操作过程是先输入编程命令80，然后输入5个地址，跟读的地址一样，再输入要编程的数据到页缓存（页寄存器），之后确认开始编程10，等 R/B#为高电平时编程结束。

  

4、Random data input （随机输入）

如下图，只要是再输入确认编程命令10之前都可以输入随机输入命令：85、两个列地址、数据。直到最后没有想要再输入的数据，再确认开始编程10。