DDR SDRAM

首先无论DDR DDR2 还是DDR3，其工作频率主要有以下几种100MHz 133MHz  167MHz  200MHz  等

    DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200  266  333  400

    DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667  800 

    DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600

    所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。

    而内存的真正工作频率决定了延迟，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。

    另外，内存在升级发展过程中，其工作电压一直在降低，因此在性能提升的同时，功耗也在逐渐变小。

    至于说到接口，三者都不一样，在内存上有一个小缺口，三种内存的小缺口都不在同一位置，因此只能插在对应的插槽上，不能兼容。

0.9  1.2  1.8  2.5  3.3  5  12  15  24V

 

都是掉电丢失信息

DRAM：电容维持信息，需定时充电或刷新（内存）；优点：集成度、功耗、成本比SRAM好，速度比ROM快

SRAM：Static RAM，用双稳态触发器保存信息，不需要刷新电路（CPU的一级、二级缓存）速度快

SDRAM：同步动态存储器，用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号

DDR RAM（Double Data-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM基本一样，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。

NOR Flash的读取和常见的SDRAM的读取一样，用户可以直接运行装载在NOR Flash里的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约成本。而NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是一次读取一块的形式来进行的。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除用NAND Flash外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。  一个FLASH位一旦被清0，必须经过擦除才能再回到1状态。