毫无征兆！高通昨晚突然推出了下一代旗舰处理器——骁龙835

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昨天晚上，高通毫无征兆地推出了下一代旗舰移动处理器——骁龙835，和之前传闻一样，命名跳过了骁龙830，原因可能是考虑到了营销方面的需要。

骁龙835最大的一个特点是采用了三星10nm FinFET制造工艺，去年发布的骁龙820则是采用三星14nm FinFET工艺。三星是业内最早推出14nm制程芯片的半导体公司，大幅领先台积电等竞争对手，而这次向10nm跨进也实属必然。

三星10nm制程芯片于今年10月份开始量产，相对14nm工艺，其将在缩小30%的芯片尺寸的基础上，实现性能27%的提升以及40%的功耗降低。换句话说，全新的10nm工艺将能够在提升手机性能的同时，进一步提升续航能力。

另外，骁龙835还带来了Quick Charge 4.0快速充电标准，相比上一代QC 3.0标准，其充电速度提升了20%，充电效率提升了30%。仅需充电5分钟就可以提供长达5小时的电池寿命。

高通方面称，骁龙835已经开始生产，但搭载该处理器的产品上市还要等到明年上半年。不出意外的话，三星S8、LG G6、小米6等一批早期旗舰将用上首批产品，只是按照惯例三星应该还是会优先拿到大部分新处理器。

值得一提的是，高通并没有释出该处理器的详细规格。但根据之前曝光的信息，其或将采用自研Kryo 200架构的八核心设计，GPU将升级为Adreno 540，内置X16基带，加入LPDDR4X内存，并且最高支持8GB运行内存。

总的来说，新的骁龙835处理器有以下几个值得期待的升级点：

更先进的制程

高通官方宣称骁龙835采用的是三星半导体最新的10nm制程工艺，三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。其实根据半导体制程工艺的规律来看，10nm相比14/16nm更多的是平滑升级，10nm是半导体技术从14/16nm节点向7nm过渡的中间节点，7nm工艺会采用非常先进的EUV极紫外光刻技术，而10nm算是一个不太重要的节点，其实包括台积电的10nm工艺也只面向移动端，所以采用台积电代工工艺的厂商英伟达明年的GTX系列显卡依然会是16nm工艺。

更强的CPU

据传言此次骁龙835采用8核心设计，弥补了骁龙820CPU多线程弱的缺点，而如果是八核设计，那骁龙835的单核性能注定不会特别强悍，至少不会超过苹果A10芯片的单核性能，要不然功耗问题难以解决。

更强的GPU

伴随着VR时代的到来，VR对手机图形处理能力的要求要比以往高得多，骁龙820搭载的Adreno 530GPU即使发布一年了性能依然强悍，在手机端的性能仅次于目前苹果A10的GPU，而骁龙835上的新一代Adreno GPU无疑会更加强悍，由于苹果A10的GPU相比高通骁龙820/821上的Adreno 530领先幅度并不是太大，所以骁龙835的GPU性能超过苹果A10基本是没有问题的，何况A10还是16nm工艺，但由于iOS与安卓平台的优化不同实际游戏表现就另说了。

全新的图形API：Vulkan

其实高通骁龙820/821就已经支持Vulkan这一革命性的API，只不过Vulkan的生态还不够完善，所以除了三星曾经在S7 edge上演示过Vulkan游戏其他的就没啥印象了，真正让Vulkan为大众所知的是华为海思麒麟960芯片上的Mali G71GPU支持Vulkan；之所以说Vulkan是革命性的，是因为它对GPU性能的释放起到至关重要的作用，改善CPU对GPU性能的限制，使多核GPU真正发挥出应有的性能。

更快的充电速度

高通同步发布新一代 QC4.0 快速充电技术。相比 QC 3.0 充电速度提升 20%，并支持 Type-C。能够实现“充电 5 分钟，通话五小时”。大约 15 分钟内，可冲入 50% 的电量。另外，QC4.0 有更好的电源管理系统，能够有效降低充电造成的电池损耗。充电5分钟，通话5小时。

深度学习的人工智能

骁龙820内置Zeroth神经处理引擎，能够自动根据用户拍摄的照片进行分类，相信骁龙835会更进一步，带来更加实用的人工智能，毕竟如今包括谷歌在内的企业都在重视人工智能，人工智能在未来会颠覆很多现有的东西。

更强的ISP/DSP

随着双摄手机的普及，预计骁龙835会对双摄有更好的ISP支持方案，但具体如何实现只有等骁龙835真正发布时才知道了，而新一代的Hexagon DSP预计会带来更好的待机表现。

更快的基带

此前，高通高管透露其下一代基带是下行速率高达1Gbps的X16基带，无疑好马配好鞍，骁龙835会首次采用X16基带。但因为高通的客户并不仅仅是手机厂商，还包括电信运营商，所以1Gbps下载速率的带宽显然不是为主流人群准备的，要想达到这么高的下载速率还需要运营商的支持，至少在中国，明年三大运营商肯定不会商用高达1Gbps下行速率的网络，但不得不说高通的技术实力很强，虽然普通消费者用不到，但能够做出这么牛的基带就是一种能力，是技术实力的展现。

更高的内存带宽

据传言骁龙835会率先支持传输速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x运存，带宽提升明显。

骁龙835可能依然仍存在的不足：

是否会降频?

CPU发热降频一直是老生常谈，目前在CPU领域对发热降频做得最好的是英特尔以及苹果公司，英特尔的酷睿系列芯片以及苹果的A系列芯片的峰值性能持续时间令人印象深刻，而反观高通/海思/联发科的芯片一发热就降频，导致性能下降，这一点在玩游戏时尤为明显。功耗控制表现出色的骁龙820在峰值性能持续性上依然不如苹果A9，所以骁龙835会有何改进值得期待。

三星的产能是否能跟上?

高通发布骁龙820之后在很长一段时间内的供货一直很紧张，最直接的原因是由于量产初期产能还没跟上，高通把大部分的产能都供给三星S7/S7 edge这两款机器，导致国产厂商拿不到货，而明年初这一问题可能依然会持续，不过到了2018年这一问题有望缓解，有传言高通会在2018年的半导体7nm制程节点回归台积电代工阵营，而同期三星的全网通基带也已成熟，所以高通与三星可能就此分道扬镳，笔者预计三星Galaxy S9会全部采用自家Exynos系列芯片。

骁龙835是否会像骁龙810出现过热问题

至于骁龙835是否有一定几率出现骁龙810过热问题，笔者认为，10nm相较14/16nm的工艺进步不算是非常大，技术难度相对较小，7nm才是重要的节点，另外再加上高通已经对64位架构芯片驾轻就熟，所以综合评估来看骁龙835不大可能会出现过热问题。

在此之前，联发科和华为已经推出了他们的新旗舰产品。其中，联发科Helio X30采用台积电10nm工艺，性能相对X20/25有大幅提升。华为麒麟960则依旧采用16nm制程。另外，三星下一代Exynos 9也会用上自家10nm FinFET工艺，值得期待。

哪家手机厂商首发骁龙835其实并无意义

至于今年底或者明年初哪家手机厂商首发骁龙835，其实这更多的是象征意义，实际意义不大，因为明年骁龙835真正首批开始大规模供应的手机可能依然会是三星的S8系列，一方面，高通骁龙835是三星半导体代工的，另一方面，高通抛弃台积电选择三星作为芯片代工厂商也是有条件的，在三星还没搞定全网通基带的情况下依然会在有全网通需求的国家比如中国、美国市场采用高通芯片，在骁龙835芯片量产初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他厂商未必能拿到很多货。

编辑：孙文聪