基于SILVACO ATLAS的a-IGZO薄膜晶体管二维器件仿真（05）

在知网看到了江南大学的硕士论文：

双有源层a-IGZO薄膜晶体管的特性仿真

IGZO/IZO双有源层薄膜晶体管特性的模拟研究

发现，我昨天的文章中参数的设置存在重大失误，如下材料定义语句中：

material material=igzo eg300=3.5 nc300=8.5e21 nv300=8.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.35 mup=1 mun=35

eg300:禁带宽度

nc300/nv300:effective density of states for electrons and holes

taun0/taup0:electron and hole lifetimes(载流子寿命)

affinity:电子亲和势

mup/mun:electron and hole mobilities(两种载流子的迁移率)

上述已在（04）中提到过，然而对于nc与nv：

对于特定材料而言应为定值...吧？

上图为文献中给出的模拟参数。材料定义更改为下：

material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=5e18 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15

输出：

其次，defect语句的引入还存在问题，我还以为引入缺陷越多，电流就会越高，实则不然。语句内各个参数定义并未完全理解，还需进一步查找资料。

 

 啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊