三星UFS 3.1闪存实现量产:写速提升200%



飞象网讯

3月17日,三星电子宣布,已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存eUFS 3.1


三星UFS 3.1闪存实现量产:写速提升200%_第1张图片

UFS3.1是固态技术协会(JEDEC)发布的一种闪存存储规范。


对比前一代UFS 3.0,UFS3.1的写速提升了200%,达到了惊人的1200MB/s,连续读取速度可达2100MB/s,随机读取和写入速度分别为100,000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70,000 IOPS,在读写速度上都有着明显的提升,不论是文件传输效率或者应用的启动速度,都能得到全面的提升,让用户获得更好的使用体验。


UFS3.1被认为是2020年旗舰手机首选,它可以更好的适应8K视频拍摄、高像素相机以及5G应用场景。


三星表示,其已经开始在西安的新生产线(X2)量产第五代V-NAND,以完全满足高端智能手机市场的存储需求。



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