NAND FLASH/NOR FLASH/EMMC等存储器的比较和区别

首先介绍一下NAND FLASH/NOR FLASH：

• Nand Flash：Nand Flash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

• Nor Flash：也是一种存储介质，由Intel于1988年开发出来，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。它的存储空间一般比较小，但它可以不用初始化，可以在其内部运行程序，一般在其存储一些初始化内存的固件代码。

二者的区别：

• NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从Flash中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

• NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。优点：大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND Flash 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。

• 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

然后介绍一下eMMC：

eMMC全称为embeded MultiMedia Card，是一种嵌入式非易失性存储器系统，由Nand Flash和Nand Flash控制器组成（简言之就是，eMMC = NAND Flash + controller + standard interface），以BGA方式封装在一款chip上。

eMMC在其内部集成了 Flash Controller，包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。相比于直接将NAND Flash接入到Host 端，eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。同时，eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术，在读写性能上也比 NAND Flash要好很多。

eMMC 适用于高性能应用，例如用于智能手机，数字平板电脑，多媒体播放器，PDA，导航系统和数码相机的便携式消费电子产品。因此，eMMC 可用于移动设备，增强型存储解决方案以及替代传统存储介质（即 HDD）。

eMMC v4.41 标准提供了性能，安全性和可靠性功能，例如高优先级中断和安全擦除。这些功能（例如安全擦除和安全修整）需要来自驱动程序之外的文件系统的软件支持，否则，应用程序调用将不会通过文件系统到达存储介质。计划迁移到 eMMC 的任何组织都需要从内部或外部来源提供此类软件支持。