打破摩尔定律，别说5nm是做梦，1nm晶体管诞生

一般认为 5 奈米已超出晶体管硅材料的物理极限，但美国能源部旗下劳伦斯伯克利国家实验室当地时间 6 日发表一项研究成果，以科学家 Ali Javey 为首的团队表示已成功创造 1 奈米晶体管，长度大约是人类头发的十万分之一。

研究团队指出，制程成功微缩至 1 奈米就在于奈米碳管与二硫化钼（MoS2）等材料的运用。1 奈米大约是 2～3 个原子直径，而奈米碳管管壁管壁仅一个原子厚，早已被视为有望取代硅，借以提升晶体管性能、超越摩尔定律的关键材料。而常被作为引擎润滑油主要成分的二硫化钼（MoS2）近年也被视为新兴材料广泛应用于奈米晶体管、LED、雷射与太阳能电池，也成了此次研究成功的重要关键要素。

场效晶体管透过汲极、源极间电流的流动与闸极的控制形成 0 或 1 的数位讯号，而奈米制程所指的线宽就是闸极长度。电子透过硅的流动比二硫化钼更轻、阻力更小，这对闸极长度在 5 奈米或线宽更长时是优点，但在 5 奈米线宽以下，却会出现量子力学里所谓的量子穿隧效应，部分电子可能穿透闸极产生漏电流，甚至让晶体管整个无法关闭造成失控。但透过二硫化钼较硅来得重的特性，在较小线宽之下，还能有效控制电子流。

不过这一项研究仍在初步阶段，研究主持人同时也是加州大学柏克莱分校电子工程及计算机科学教授的 Ali Javey 自己也指出，该实验尚未转移至芯片上、将其放大数十亿倍，但 Ali Javey 认为，这是一个启发，摩尔定律不会只停在 5 奈米，透过半导体新材料的应用与持续的研究，摩尔定律或将能延续下去。