AT93C56B GPIO模拟实现读写

平台

STM32F407

 

硬件介绍

AT93C56B/66B 4K: 512 x 8 or 256 x 16

硬件 pin 如下截图所示：

 

CS：片选信号。高电平有效，低电平时进入等待模式。在连续的指令之间，ＣＳ信号必须持续至少 250ns 的低电平，才能保证芯片正常工作。

CLK：串行时钟信号。在 CLK 的上升沿，操作码、地址和数据位进入器件或从器件输出。在发送序列时，CLK 最好不停止，以防止读／写数据的错误。

DI：串行数据输入。可在 CLK 的同步下输入开始位、操作码、地址位和数据位。

DO：串行数据输出。在 CLK 同步下读周期时，用于输出数据；而在地址擦／写周期或芯片擦／写周期时，该端用于提供忙／闲信息。

VSS： 接地。

VCC： 接＋５Ｖ电源。

ORG： 存贮器构造配置端。该端接 VCC 或悬空时，输出为１６位；接 GND 时，输出为８位

NC：空脚，不连接。

 

指令集

参考datasheet

（１）擦／写使能指令（EWEN）

由于在上电复位后 IC 首先将处于擦／写不允许状态。故该指令必须在所有编程模式前执行，一旦该指令执行后，只要外部没有断电就可以对芯片进行编程。

（２）地址擦指令（ERASE）

该指令用于强迫指定地址中所有数据位都为“１”。一旦信息在 DI 端上被译码，就需使 CS 信号保持至少 250ns 的低电平，然后将 CS 置为高电平，这时，DO 端就会指示“忙”标志，DO为“０”，表示编程正在进行；DO为“１”，表示该指定地址的寄存器单元已擦完，可以执行下一条指令

（３）地址写指令（WRITE）

写指令时，先写地址，然后将 16 位或８位数据写入到指定地址中。当 DI 端输入最后一个数据位后，在 CLK 时钟的下一个上升沿以前，CS 必须为低，且需至少保持 250ns，然后将 CS 置为高电平。需要说明的是：写周期时，每写一个字节需耗时４ms

（４）地址读指令（READ）

读指令用于从指定的单元中把数据从高位到低位输出至 DO 端，但逻辑“０”位先于数据位输出。读指令在 CLK 的上升沿触发，且需经过一段时间方可稳定。为防止出错，建议在读指令结束后，再输出２～３个 CLK 脉冲

（５）芯片擦指令（ERAL）

该指令可将整个存贮器阵列置为１，其它功能与地址擦指令相同。

（６）芯片写指令（WRAL）

该指令可将命令中指定的数据写入整个存贮器阵列，其它功能与地址写指令相同。该指令周期所花费时间的最大值为 30 ms

（７）擦／写禁止指令（EWDS）

使用该指令可对写入的数据进行保护，操作步骤与擦／写允许指令相同

 

软件实现

这次软件实现是通过GPIO 模拟实现的，中间犯了一个错，没有注意 ORG 连接，按 8 位做的读写，一直不成功，后面看手册发现，ORG 接 VCC，输出 16位，后按 16 位做读写，就 OK 了。

软件具体实现 code，见如下连接：

https://download.csdn.net/download/tuwenzan/11847271

 

 

参考资料：

《AT93C66B-SSHM-T Datasheet.pdf》