MOS管的弥勒效应简介

 一、弥勒平台介绍

 Mos管的三极都会存在以下 的三个电容，分别是：Cgs，Cgd，Cds。

米勒电容指的是Cgd。米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程

中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值（图中t2~t3阶段），过后Vgs电压又开始上升直至完全导通。米

勒效应阻止Vgs电压上升，使得导通时间变长，损耗剧增。为什么会有米勒平台，我们看下mos开通过程如下图所示：

1) T0时刻：Vgs为0时，Vd>Vg，Cgd基本充满电，右正左负；

2) T0~T1时刻：Vgs开始上升，Ig电流主要给Cgs充电，当Vgs达到阈值电压Vth时

（T1时刻），mos开始导通，Vds开始下降；

3) T1~T2时刻：Vgs继续上升，给Cgs充电，Vds继续下降（下降较小），当Vgs达到米

勒平台电压Va，开始进入米勒平台；

4) T2~T3时刻：T2时刻开始，随着Vd下降，VD＜Vg，驱动电流主要开始反向给Cgd充

电，所以这段时间，看起来Vgs没有增加。这段时间就是米勒平台。

5) T2~T3时刻，随着Cgd逐渐充满，mos管完全导通，Vgs继续增加，直到最高的驱动电

平Vgg。

 

二、弥勒平台用于缓启电路

虽然米勒平台在高频开关状态臭名昭著，不仅延长开关频率、增加功耗、降低系统的稳定性，各大厂商都在不遗余力的

减少米勒电容。但是，米勒平台在电源缓启动中有很大的用处，我们通过下图可以看到，mos两端电压Vds的下降区间，

大部分都在米勒屏之间完成，如果人为的增加米勒电容Cgd，可以达到延长Vds的下降时间，也就可以利用mos做开关，

做电源的缓启动，在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电，都有很好的益处。具体的做法就是增加mos管的Cgd。

如下图是使用PMOS，串联在电源正极，主要是利用R1和C3的RC充放电原理图和米勒平台做缓启动。

 

文章摘自创意栈 阿甘 的《利用米勒平台做缓启动电路》