flash相关知识

    最近在研究flash读写，因为项目代码在写入之前总要擦除一块区域，一开始还不以为然，

上网查了下知识,不擦除写不了，应该说写入的内容不是你实际写入的，长姿势了呀，也直接在MTK 的6261工程上实验的一下确实如此。

    看了相关知识和一些别人博客，flash 按内部存储结构分为norflash 和nandflash两种：

    性能方便的区别norflash读取比nandflash快，但是写入慢，因为flash特性问题每次写入之前都必须擦除，nandflash擦除非常简单，而norflash擦除前必须将改位置数据写为0，如要将某地址数值为0x01擦除，先得写入(0x98&0x01) =0.

1.norflash 写入/擦除单位64-128K块。

2.nandflash则是8-32K的块，相同的一个写入/擦除操作时间norflash是5s,而nandflash则是4ms。

        3.nandflash写入是百万次，而nor是10万次级。

        4.因为norflash具有sram接口，所以应用程序可直接在norflash运行，不需要复制到sram里。