三极管的基极电流究竟做了什么？
本人工科，电学相关专业，但看了无数本书，也没有解释清楚NPN/PNP型晶体管的基级电流究竟对于管子的整体工作意味着什么。都是泛泛地说了射极电流中的电子会有一部分扩散到基极，并维持一个比例，也就是β。
这些书在解释场效应管的时候，都清晰地解释了门级电压对于载流子的影响，而载流子就决定了电流的通过能力。但对于晶体管就含糊其辞，一直不知道究竟是什么力量约束了基极电流和射极电流之间的比例。
我们从下面这些回答寻找答案！
胥超，微电子/功率半导体
三极管（BJT）是电流控制型器件，也就是你说的基极电流Ib控制了集电极Ic到发射极Ie的电流。
具体原理是在BE结正偏情况下，载流子从E跑到B，由于B是一个很窄的区域，掺杂浓度也较低，容许通过的电流很小。如果这时CB结反偏，B中的载流子大部分被C抽走了，所以Ic电流十分接近于Ie。
放大系数β的控制，就是靠调整B区宽度或掺杂浓度，以此控制B区的电流通过的能力。
BJT是双极器件，原理上也比MOSFET复杂许多，涉及到电子空穴分别的行为，量化的放大系数跟注入效率、渡越时间、输运系数有关。
如果你想进一步了解，可以参考《晶体管原理与设计》 第二版 3.2节（陈星弼 张庆忠 编著）
补充：
发现书上第三章开头有的一段话很不起眼，但是很清楚地解释了这个原理，摘录如下：
“……当PN结正偏时，电子从P区注入N区，空穴从P区注入N区，形成正向电流。正向电流的电荷来源是多子，所以正向电流很大。当PN结处于反偏时，电子从P区被拉向N区，空穴从P区被拉向P区，形成反向电流。反向电流的电荷来源是少子，所以反向电流很小。如果能够在反偏的PN结附近设法提供大量的少子，就能使反向电流提高。给反偏PN结提供少子的一种方法是在它附近制作一个正偏的PN结。如果两个PN结靠得很近，则整片PN结注入过来的少子还来不及复合，就被反偏的PN结所收集而形成较大的反偏电流。反向电流的大小取决于正偏PN结注入过来的少子的多少，而后者取决于加在正偏PN结上的偏压的大小。……”
Eric Qiang
我发现中文维基“三极管”这篇文章写得很好，既易懂，又说到了三极管之所以能放大电流的要点上了。下文均以NPN三极管为例。
1. 物理结构上，集电极区域是器件的基底；发射极区域是器件上的一个小坑，重掺杂；基极区域是位于基底（即集电极）与发射极区域之间的很薄的一层，轻掺杂。因而，发射结的面积要远小于集电结的面积。上述这些重掺杂与轻掺杂、pn结的面积大小，决定了器件的性能，特别是那个电流放大系数 beta。
2. 如楼上几位解释的，发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。这时大量电子从发射极区域注入基极。（因为发射极区域是重掺杂，所以多数载流子的密度很大） 而基极区域是轻掺杂，多数载流子（即空穴）的密度很低，所以由发射极区域注入基极区域的电子只有很少比例与空穴复合；又因为基极区域非常薄，远小于注入基极区域的电子的“扩散长度”，所以大部分电子都注入了集电极区域（这还是在集电结上不加电压处于热平衡态）；如果在集电结上加上反向偏置电压，效果更好了。
2.1 要知道，二极管或者pn结的“反向饱和电流”，这个“饱和”是从哪里来的？答案是pn结两侧区域的少子的浓度。因为这个少子浓度很低，所以在pn结的内在电场驱使下，反向跨越pn结的少子流很容易就“饱和”了。 现在三极管的集电结的基极一侧，有大量的少子（来自发射极注入的电子），所以这大量的少子漂移过集电结，就形成了集电极电流 I_c
2.2 基极电流与集电极电流之比，是器件的物理结构（掺杂浓度、集电结的面积与形状）等决定的。
2.3 在NPN三极管正向放大状态下，电子跨过发射结，主要是漂移；电子跨过基极区域，主要是扩散；电子跨过集电结，主要是漂移。从能谱图上看，电子先是跳悬崖（发射结），然后是一马平川（而且距离很短），再跳悬崖（集电结）。
3. 为什么发射结上的微小电压变化（相当于很小的输入信号），就可以大幅度改变集电极电流从而获得被放大几十倍的输出信号？？ 这个答案很简单、很简单！ 看看二极管/pn结的伏安特性曲线，二极管在正向导通状态下伏安特性呈现指数形状，即pn结上正向偏置电压的微小变化将导致正向电流的指数级变化！！！ 也就是说，发射极-基极电压的微小变化，导致了漂移过发射结的电流的巨大变化，从而导致了漂移过集电结的电流的巨大变化。就这么简单。
3.1 如果你追问，为什么二极管/pn结在正向偏置导通状态，伏安特性呈现指数曲线形状啊？ 答案是：正向偏置下，跨p-n结的电流强度取决于多数载流子的密度，而多子的密度随正向偏置电压的大小成指数增加。这使得二极管可以导通正向大电流。
mike，发现更大的世界
讲一下ＮＰＮ的吧，ＰＮＰ类似的。
正常情况下ＰＮ结正向偏置电流才能通过（即Ｐ端加高电平，Ｎ端加低电平）。在ＮＰＮ结构的三极管中，因为ＣＢ端的ＰＮ结是反向偏置，所以集电极Ｉｃ是通不过ＣＢ那个ＰＮ结，自然也流不到发射极Ｅ。但是当基极Ｂ有电流流进时，因为载流子浓度的关系，Ｉｂ将流向集电集Ｃ，这时就把ＣＢ端的ＰＮ给打通了，而Ｉｂ越大ＰＮ结的口子撕开的也越大，流过的电流自然也更大，这就是为什么Ｉｂ可以控制Ｉｃ的缘故。因为ＢＥ本来就正偏，所以Ｉｃ可以一路从集电极Ｃ流到发射极Ｅ。
通俗的比喻ｉｂ的作用：三极管是个水管，ＣＥ处的PN结是个皮阀子，Ｃ端的水不能把它冲开，只有Ｂ端的水才能把它冲开。如果此时ｉｂ有水进来就用力捅一下ＣＢ那个皮阀子，它就打开了，Ｉｂ的力度越大，ＣＢ端的阀门就开的越大，一旦打开，Ｃ端的水也顺势冲了下来。Ｂ端的水的大小可以控制ＣＢ端皮阀子打开的大小，自然就控制了C端流进水的大小，从而控制整个水管水流的大小。而ＢＥ端也有一个皮阀子，但它可以自由的从Ｂ流向Ｅ端。所以整个管子导通！
ＭＯＳＦＥＴ原理也类似，但ｍｏｓｆｅｔ的门集电压控制那个管道的打通，但它的不是皮阀子，而是水龙头。什么意思呢？因为皮阀子是单向通过的，而水龙头是双向随便通过。
他们的功能区别是：ＭＯＳ管是电压控制电流型，而三极管是电流控制电流型。
看了楼上的回答。好像ＭＯＳ管的原理更复杂吧？只不过ＭＯＳ加工起来又更方便！现在功率器件基本上已经把ＢＪＴ淘汰了！
厚一点的模电书都有介绍的，只是比较枯燥，要静下心来看！我上学时候用的是清华大学绿皮版本的。
贺兆宇，Semiconductor Device， PhD
简单地说，好比街上突然出现三五个美女，会引来一群男人疯狂地跑过去拥抱，可是最终只有三五个男人可以如愿，大多数男人都扑了个空，白跑一趟。
你们是怎么理解的呢？