IoT小胡
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三极管

温馨提示 : 博主软件出生, 以下纯属个人的学习笔记. 如果有误导, 还望不吝赐教!

  • 下图为三级管图, 通常NPN使用得比较多, 以下图中的 (NPN) 为例, 简述常见的三种状态:
三极管_第1张图片
饱和区:
  • 条件: V C < V B V_C < V_B VC​<VB​, 且 β I B > I C βI_B > I_C βIB​>IC​ , V C E ≈ 0.3 V V_{CE} ≈ 0.3V VCE​≈0.3V
  • C,E呈现低阻态, 相当于开关闭合
截止区:
  • 条件: V B E < = 死 区 电 压 ( 硅 0.7 , 锗 0.3 ) V_{BE} <= 死区电压(硅0.7, 锗0.3) VBE​<=死区电压(硅0.7,锗0.3), I B = 0 I_B = 0 IB​=0 , I C = I C E O ≈ 0 I_C = I_{CEO} ≈ 0 IC​=ICEO​≈0
  • 集电区的空穴和基区的电子将相对运动形成一个小得通常不计的电流 I C E O I_{CEO} ICEO​
  • 图上的 I C I_C IC​为集电极的主要电流部分(还存在一个 I C E O I_{CEO} ICEO​)
  • C,E呈现高阻态, 相当于开关断开
放大区:
  • 条件: I C = β I B I_C = βI_B IC​=βIB​ , 且 Δ I C = β Δ I B \Delta I_C = β\Delta I_B ΔIC​=βΔIB​. (β很大, 这样就放大了电流)
  • 这是最常用的

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