计算机组成原理－存储器

今天依然按照计划继续搞实验箱.

实验箱的存储单元使用的芯片是HY6116AP－10。很轻松地google到了芯片手册：

点我下载

 对于这次实验来说我们只需要关心芯片手册的第一页。这个芯片有10根地址线，为了统一接口，故实验箱只提供了8根地址线，只对外引出了A0～A7，D0～D7，CE（CS）和WE接口。

CE为片选，低电平有效。WE为低电平时进行写操作，为高电平时进行读操作。

知道了这些就可以对6116写数据了具体做法是：

1.将6116单元的WE和CE连接到SWITCH（其实就是控制面板＝ ＝）单元的对应接口，D0～7连接到数据总线任意一排，要注意不要插反。输入单元的SW_G也插到控制面板的对应接口。

2.当片选CE为低电平，写始能WE为高电平，SW_G为高电平时，会输出某一地址下所存储的数据（此时地址线未连接）。此时将SW_G调至低电平，在INPUT UNIT输入一些数据比如01010101，随后把WE至低电平一秒再至回高电平（因为没找到没找到写数据延时，假设是1秒），此时写数据成功。

那么怎么验证刚才写入的数据是否正确呢？还记得SW_G的作用么？当SW_G为高电平时，数据总线会显示6116在某一地址下存储的数据，果然是01010101没错。

我们可以利用这个机制做些有趣的东西。将SW_G至低电平，在INPUT UNIT输入10101010，然后来回拨动SW_G开关，这时会看到一排红色二极管交替闪烁，可惜不是太好看。嗯，还能做个振荡器什么的，在这里就不演示了。

到现在向同一个地址内写入不同数据的问题已经解决了，向任意地址内写入任意数据该怎么做呢＝ ＝

查询实验箱手册才知道SIGNAL UNIT的T3用边沿来控制地址总线的数据刷新。也就是说当SW_G为低电平时，通过输入单元输入任意地址并切换T3的状态，相应的数据就会被写入到地址总线中。到现在为止，向任意地址内写入任意数据可以实现了，做法如下：

1.令WE ＝ 1， SW_G＝ 0，LOAD连接T3 保持任意值不动。

2.将INPUT UNIT的开关至于00000001的状态，代表的含义是地址0x01；

3.推LOAD开关一次，此时ADDR BUS与INPUT UNIT亮灯状态相同；

4.将WE至低电平一秒后推回；

5.将SW_G至高电平查看写入数据。

OVER

最后时我今天的作品：让存储器在地址0x01单元存储我的名字的缩写，并通过显示器（两位数码管）显示。