基于MOS管的负载开关电路

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运行环境：

• W10
• AD18.1.9

原理图：

• 简易的MOS管开关电路，通过Switch_signa来控制通断(未加滤波)。

Q1：增强型PMOS ，源极S接输入，漏极D接输出（开路输出加上拉电阻）。若Vgs < Vgs(th)，此处Vgs(th)为负值，PMOS导通，Vd = Vs = VCC。

Q2：增强型NMOS，漏极D接输入，源极S接输出。若Vgs > Vgs(th)，此处Vgs(th)为正值，NMOS导通，Vd = Vs = 0V。

当Switch_signal为低电平，Vgs = Switch_signal = 0V，Vd = VCC，Q2截止，D - S（漏 级- 源级）之间近似开路（会有一定的漏电流），则Q1中Vs = Vg = VCC,则Vgs = 0 > Vgs(th)，Q1截止，Vd = 0V。 

当Switch_signal为高电平，Vgs = Switch_signal，Vd = Vs = 0V,Q2导通，D - S（漏 级- 源级）之间近似短路（会有一定的导通压降），则Q1中Vg = 0V，Vgs = -VCC < Vgs(th)，则Q1导通，Vd = Vs = VCC。

• 多路信号控制通断（未加滤波）

当一个开关需要被多个单片机引脚控制时，需加二极管防止其它引脚被干扰。

• 如电池电压随使用的时间而不断下降，升压降压DC-DC使能控制（未加滤波，阻值、容值参数未改）

R3与R6分压检测，Q5中Vg = R6 / (R6 + R3) *VCC

当VCC为电池型电源时，随使用时间上升，电压会不断下降，

电源高电压时，Q5：Vgs = R6 / (R6 + R3) *VCC >  Vgs(th)，Q5导通，Vd = Vs = 0V；

                         Q27：Vg = 0V，Vgs = 0V，Q27截止，Vd = VCC，Vs = 0V；OUT_2 = VCC,使能为1

                         Q4：Vs = Vg = VCC，Vgs = 0V，Q4截止，Vd = 0V。OUT_1 = 0V，使能为0 

电源低电压时：Q5：Vgs = R6 / (R6 + R3) *VCC <  Vgs(th)，Q5截止，Vd = R3/ (R6 + R3) *VCC

                         Q27：Vg = R3/ (R6 + R3) *VCC，Vgs = R3/ (R6 + R3) *VCC > Vgs(th)，Q27导通，Vd = Vs = 0V；OUT_2 = 0,使能为0

                         Q4：Vs = VCC，Vgs = -VCC < Vgs(th)，Q4导通，Vd = 0V。OUT_1 =VCC，使能为1