最近都在学习和写单片机的程序, 今天有空又模仿DS18B20温度测量显示实验写了一个与DS18B20基于单总线通信的程序.
DS18B20 数字温度传感器(参考:智能温度传感器DS18B20的原理与应用)是DALLAS 公司生产的1-Wire,即单总线器件,具有线路简单,体积小的特点。因此用它来组成一个测温系统,具有线路简单,在一根通信线,可以挂很多这样的数字温度计。DS18B20 产品的特点:
(1)、只要求一个I/O 口即可实现通信。
(2)、在DS18B20 中的每个器件上都有独一无二的序列号。
(3)、实际应用中不需要外部任何元器件即可实现测温。
(4)、测量温度范围在-55 到+125℃之间; 在-10 ~ +85℃范围内误差为±5℃;
(5)、数字温度计的分辨率用户可以从9 位到12 位选择。将12位的温度值转换为数字量所需时间不超过750ms;
(6)、内部有温度上、下限告警设置。
DS18B20引脚分布图
DS18B20 详细引脚功能描述:
1、GND 地信号;
2、DQ数据输入出引脚。开漏单总线接口引脚。当被用在寄生电源下,此引脚可以向器件提供电源;漏极开路, 常太下高电平. 通常要求外接一个约5kΩ的上拉电阻.
3、VDD可选择的VDD 引脚。电压范围:3~5.5V; 当工作于寄生电源时,此引脚必须接地。
DS18B20存储器结构图
暂存储器的头两个字节为测得温度信息的低位和高位字节;
第3, 4字节是TH和TL的易失性拷贝, 在每次电复位时都会被刷新;
第5字节是配置寄存器的易失性拷贝, 同样在电复位时被刷新;
第9字节是前面8个字节的CRC检验值.
配置寄存器的命令内容如下:
0 | R1 | R0 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
R0和R1是温度值分辨率位, 按下表进行配置.默认出厂设置是R1R0 = 11, 即12位.
温度值分辨率配置表
R1 | R0 | 分辨率 | 最大转换时间(ms) |
0 | 0 | 9bit | 93.75(tconv/8) |
0 | 1 | 10bit | 183.50(tconv/4) |
1 | 0 | 11bit | 375(tconv/2) |
1 | 1 | 12bit | 750 (tconv) |
12位分辨率时的两个温度字节的具体格式如下:
低字节:
2^3 | 2^2 | 2^1 | 2^0 | 2^-1 | 2^-2 | 2^-3 | 2^-4 |
高字节:
S | S | S | S | S | 2^6 | 2^5 | 2^4 |
其中高字节前5位都是符号位S, 若分辨率低于12位时, 相应地使最低为0, 如: 当分辨率为10位时, 低字节为:
2^3 | 2^2 | 2^1 | 2^0 | 2^-1 | 2^-2 | 0 | 0 |
, 高字节不变....
一些温度与转换后输出的数字参照如下:
温度 | 数字输出 | 换成16进制 |
+125℃ | 00000111 11010000 | 07D0H |
+85℃ | 00000101 01010000 | 0550H |
+25.0625℃ | 00000001 10010001 | 0191H |
+10.125℃ | 00000000 10100010 | 00A2H |
+0.5℃ | 00000000 00001000 | 0008H |
0℃ | 00000000 00000000 | 0000H |
-0.5℃ | 11111111 11111000 | FFF8H |
-10.125℃ | 11111111 01011110 | FFE5H |
-25.0625℃ | 11111110 01101111 | FF6FH |
-55℃ | 11111100 10010000 | FC90H |
DS18B20 的使用方法:
由于DS18B20 采用的是 1-Wire 总线协议方式,即在一根数据线实现数据的双向传输,而对单片机来说,我们必须采用 软件的方法来模拟单总线的协议时序来完成对DS18B20芯片的访问。
由于DS18B20是在一根I/O线上读写数据,因此,对读写的数据位 有着严格的时序要求。
DS18B20有严格的通信协议来保证各位数据传输的正确性和完整性。
该协议定义了几种信号的时序: 初始化时序(dsInit()实现)、读时序(readByte())、写时序(writeByte())。
所有时序都是将主机作为主设备,单总线器件作为从设备。而每一次命令和数据的传输都是从主机主动启动写时序开始,如果要求单总线器件回送数据,在进行写命令后,主机需启动读时序完成数据接收。数据和命令的传输都是低位在先。
DS18B20与单片机连接电路图:
利用软件模拟DS18B20的单线协议和命令:主机操作DS18B20必须遵循下面的顺序
1. 初始化
单线总线上的所有操作都是从初始化开始的. 过程如下:
1)请求: 主机通过 拉低单线 480us以上, 产生复位脉冲, 然后释放该线, 进入Rx接收模式. 主机释放总线时, 会产生一个 上升沿脉冲.
DQ : 1 -> 0(480us+) -> 1
2)响应: DS18B20检测到该上升沿后, 延时15~60us, 通过 拉低总线60~240us来产生应答脉冲.
DQ: 1(15~60us) -> 0(60~240us)
3)接收响应: 主机接收到从机的应答脉冲后, 说明有单线器件在线. 至此, 初始化完成.
DQ: 0
2. ROM操作命令
当主机检测到应答脉冲, 便可发起ROM操作命令. 共有5类ROM操作命令, 如下表
命令类型 | 命令字节 | 功能 |
Read Rom 读ROM | 33H | 读取激光ROM中的64位,只能用于总线上单个DS18B20器件情况, 多挂时会发生数据冲突 |
Match Rom匹配ROM | 55H | 此命令后跟64位ROM序列号,寻址多挂总线上的对应DS18B20.只有序列号完全匹配的DS18B20才能响应后面的内存操作命令,其他不匹配的将等待复位脉冲.可用于单挂或多挂两种情况. |
Skip Rom 跳过ROM | CCH | 可无须提供64位ROM序列号即可运行内存操作命令, 只能用于单挂. |
Search Rom搜索ROM | F0H | 通过一个排除法过程, 识别出总线上所有器件的ROM序列号 |
Alarm Search告警搜索 | ECH | 命令流程与Search Rom相同, 但DS18B20只有最近的一次温度测量时满足了告警触发条件的, 才会响应此命令. |
3. 内存操作命令
在成功执行ROM操作命令后, 才可使用内存操作命令. 共有6种内存操作命令:
命令类型 | 命令字节 | 功能 |
Write Scratchpad |
4EH | 写暂存器中地址2~地址4的3个字节(TH,TL和配置寄存器)在发起复位脉冲之前,3个字节都必须要写. |
Read Scratchpad |
BEH | 读取暂存器内容,从字节0~一直到字节8, 共9个字节,主机可随时发起复位脉冲,停止此操作,通常我们只需读前5个字节. |
Copy Scratchpad |
48H | 将暂存器中的内容复制进EERAM, 以便将温度告警触发字节存入非易失内存. 如果此命令后主机产生读时隙, 那么只要器件还在进行复制都会输出0, 复制完成后输出1. |
Convert T |
44H | 开始温度转换操作. 若在此命令后主机产生时隙, 那么只要器件还在进行温度转换就会输出0, 转换完成后输出1. |
Recall E2 |
B8H | 将存储在EERAM中的温度告警触发值和配置寄存器值重新拷贝到暂存器中,此操作在DS18B20加电时自动产生. |
Read Power Supply |
B4H | 主机发起此命令后每个读数时隙内,DS18B20会发信号通知它的供电方式:0寄生电源, 1外部供电. |
4. 数据处理
DS18B20要求有严格的时序来保证数据的完整性. 在单线DQ上, 有复位脉冲, 应答脉冲, 写0, 写1, 读0, 读1这6种信号类型. 除了应答脉冲外, 其它都由主机产生. 数据位的读和写是通过读、写时隙实现的.
1) 写时隙: 当主机将数据线从高电平拉至低电平时, 产生写时隙.所有写时隙都必须在60us以上, 各写时隙间必须保证1us的恢复时间.
写"1" : 主机将数据线DQ先拉低, 然后释放15us后, 将数据线DQ拉高;
写"0" : 主机将DQ拉低并至少保持60us以上.
2)读时隙: 当主机将数据线DQ从高电平拉至低电平时, 产生读时隙. 所有读时隙最短必须持续60us, 各读时隙间必须保证1us的恢复时间.
读: 主机将DQ拉低至少1us,. 此时主机马上将DQ拉高, 然后就可以延时15us后, 读取DQ即可.
源代码: (测量范围: 0 ~ 99度)
1#include <reg51.H>
2//通过DS18B20测试当前环境温度, 并通过数码管显示当前温度值
3sbit wela = P2^7; //数码管位选
4sbit dula = P2^6; //数码管段选
5sbit ds = P2^2;
6//0-F数码管的编码(共阴极)
7unsigned char code table[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,
8 0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};
9//0-9数码管的编码(共阴极), 带小数点
10unsigned char code tableWidthDot[]={0xbf, 0x86, 0xdb, 0xcf, 0xe6, 0xed, 0xfd,
11 0x87, 0xff, 0xef};
12
13//延时函数, 例i=10,则大概延时10ms.
14void delay(unsigned char i)
15{
16 unsigned char j, k;
17 for(j = i; j > 0; j--)
18 {
19 for(k = 125; k > 0; k--);
20 }
21}
22
23//初始化DS18B20
24//让DS18B20一段相对长时间低电平, 然后一段相对非常短时间高电平, 即可启动
25void dsInit()
26{
27 //一定要使用unsigned int型, 一个i++指令的时间, 作为与DS18B20通信的小时间间隔
28 //以下都是一样使用unsigned int型
29 unsigned int i;
30 ds = 0;
31 i = 103;
32 while(i>0) i--;
33 ds = 1;
34 i = 4;
35 while(i>0) i--;
36}
37
38//向DS18B20读取一位数据
39//读一位, 让DS18B20一小周期低电平, 然后两小周期高电平,
40//之后DS18B20则会输出持续一段时间的一位数据
41bit readBit()
42{
43 unsigned int i;
44 bit b;
45 ds = 0;
46 i++;
47 ds = 1;
48 i++; i++;
49 b = ds;
50 i = 8;
51 while(i>0) i--;
52 return b;
53}
54
55//读取一字节数据, 通过调用readBit()来实现
56unsigned char readByte()
57{
58 unsigned int i;
59 unsigned char j, dat;
60 dat = 0;
61 for(i=0; i<8; i++)
62 {
63 j = readBit();
64 //最先读出的是最低位数据
65 dat = (j << 7) | (dat >> 1);
66 }
67 return dat;
68}
69
70//向DS18B20写入一字节数据
71void writeByte(unsigned char dat)
72{
73 unsigned int i;
74 unsigned char j;
75 bit b;
76 for(j = 0; j < 8; j++)
77 {
78 b = dat & 0x01;
79 dat >>= 1;
80 //写"1", 让低电平持续2个小延时, 高电平持续8个小延时
81 if(b)
82 {
83 ds = 0;
84 i++; i++;
85 ds = 1;
86 i = 8; while(i>0) i--;
87 }
88 else //写"0", 让低电平持续8个小延时, 高电平持续2个小延时
89 {
90 ds = 0;
91 i = 8; while(i>0) i--;
92 ds = 1;
93 i++; i++;
94 }
95 }
96}
97
98//向DS18B20发送温度转换命令
99void sendChangeCmd()
100{
101 dsInit(); //初始化DS18B20
102 delay(1); //延时1ms
103 writeByte(0xcc); //写入跳过序列号命令字
104 writeByte(0x44); //写入温度转换命令字
105}
106
107//向DS18B20发送读取数据命令
108void sendReadCmd()
109{
110 dsInit();
111 delay(1);
112 writeByte(0xcc); //写入跳过序列号命令字
113 writeByte(0xbe); //写入读取数据令字
114}
115
116//获取当前温度值
117unsigned int getTmpValue()
118{
119 unsigned int value; //存放温度数值
120 float t;
121 unsigned char low, high;
122 sendReadCmd();
123 //连续读取两个字节数据
124 low = readByte();
125 high = readByte();
126 //将高低两个字节合成一个整形变量
127 value = high;
128 value <<= 8;
129 value |= low;
130 //DS18B20的精确度为0.0625度, 即读回数据的最低位代表0.0625度
131 t = value * 0.0625;
132 //将它放大10倍, 使显示时可显示小数点后一位, 并对小数点后第二2进行4舍5入
133 //如t=11.0625, 进行计数后, 得到value = 111, 即11.1 度
134 value = t * 10 + 0.5;
135 return value;
136}
137
138//显示当前温度值, 精确到小数点后一位
139void display(unsigned int v)
140{
141 unsigned char count;
142 unsigned char datas[] = {0, 0, 0};
143 datas[0] = v / 100;
144 datas[1] = v % 100 / 10;
145 datas[2] = v % 10;
146 for(count = 0; count < 3; count++)
147 {
148 //片选
149 wela = 0;
150 P0 = ((0xfe << count) | (0xfe >> (8 - count))); //选择第(count + 1) 个数码管
151 wela = 1; //打开锁存, 给它一个下降沿量
152 wela = 0;
153 //段选
154 dula = 0;
155 if(count != 1)
156 {
157 P0 = table[datas[count]]; //显示数字
158 }
159 else
160 {
161 P0 = tableWidthDot[datas[count]]; //显示带小数点数字
162 }
163 dula = 1; //打开锁存, 给它一个下降沿量
164 dula = 0;
165 delay(5); //延时5ms, 即亮5ms
166
167 //清除段先, 让数码管灭, 去除对下一位的影响, 去掉高位对低位重影
168 //若想知道影响效果如何, 可自行去掉此段代码
169 //因为数码管是共阴极的, 所有灭的代码为: 00H
170 dula = 0;
171 P0 = 0x00; //显示数字
172 dula = 1; //打开锁存, 给它一个下降沿量
173 dula = 0;
174 }
175}
176
177void main()
178{
179 unsigned char i;
180 unsigned int value;
181 while(1)
182 {
183 //启动温度转换
184 sendChangeCmd();
185 value = getTmpValue();
186 //显示3次
187 for(i = 0; i < 3; i++)
188 {
189 display(value);
190 }
191 }
192}
显示效果:
流程图:
改进代码: 扩大测量范围, 使可测量范围为: -55度 ~ +125度, 严格按照上面的流程进行软件设计
3.15 1:34 修正display()函数中的下一位显示对上一位的影响
1#include <reg51.H>
2#include<intrins.h>
3#include <math.H> //要用到取绝对值函数abs()
4//通过DS18B20测试当前环境温度, 并通过数码管显示当前温度值, 目前显示范围: -55~ +125度
5sbit wela = P2^7; //数码管位选
6sbit dula = P2^6; //数码管段选
7sbit ds = P2^2;
8int tempValue;
9
10//0-F数码管的编码(共阴极)
11unsigned char code table[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,
12 0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};
13//0-9数码管的编码(共阴极), 带小数点
14unsigned char code tableWidthDot[]={0xbf, 0x86, 0xdb, 0xcf, 0xe6, 0xed, 0xfd,
15 0x87, 0xff, 0xef};
16
17//延时函数, 对于11.0592MHz时钟, 例i=10,则大概延时10ms.
18void delay(unsigned int i)
19{
20 unsigned int j;
21 while(i--)
22 {
23 for(j = 0; j < 125; j++);
24 }
25}
26
27//初始化DS18B20
28//让DS18B20一段相对长时间低电平, 然后一段相对非常短时间高电平, 即可启动
29void dsInit()
30{
31 //对于11.0592MHz时钟, unsigned int型的i, 作一个i++操作的时间大于为8us
32 unsigned int i;
33 ds = 0;
34 i = 100; //拉低约800us, 符合协议要求的480us以上
35 while(i>0) i--;
36 ds = 1; //产生一个上升沿, 进入等待应答状态
37 i = 4;
38 while(i>0) i--;
39}
40
41void dsWait()
42{
43 unsigned int i;
44 while(ds);
45 while(~ds); //检测到应答脉冲
46 i = 4;
47 while(i > 0) i--;
48}
49
50//向DS18B20读取一位数据
51//读一位, 让DS18B20一小周期低电平, 然后两小周期高电平,
52//之后DS18B20则会输出持续一段时间的一位数据
53bit readBit()
54{
55 unsigned int i;
56 bit b;
57 ds = 0;
58 i++; //延时约8us, 符合协议要求至少保持1us
59 ds = 1;
60 i++; i++; //延时约16us, 符合协议要求的至少延时15us以上
61 b = ds;
62 i = 8;
63 while(i>0) i--; //延时约64us, 符合读时隙不低于60us要求
64 return b;
65}
66
67//读取一字节数据, 通过调用readBit()来实现
68unsigned char readByte()
69{
70 unsigned int i;
71 unsigned char j, dat;
72 dat = 0;
73 for(i=0; i<8; i++)
74 {
75 j = readBit();
76 //最先读出的是最低位数据
77 dat = (j << 7) | (dat >> 1);
78 }
79 return dat;
80}
81
82//向DS18B20写入一字节数据
83void writeByte(unsigned char dat)
84{
85 unsigned int i;
86 unsigned char j;
87 bit b;
88 for(j = 0; j < 8; j++)
89 {
90 b = dat & 0x01;
91 dat >>= 1;
92 //写"1", 将DQ拉低15us后, 在15us~60us内将DQ拉高, 即完成写1
93 if(b)
94 {
95 ds = 0;
96 i++; i++; //拉低约16us, 符号要求15~60us内
97 ds = 1;
98 i = 8; while(i>0) i--; //延时约64us, 符合写时隙不低于60us要求
99 }
100 else //写"0", 将DQ拉低60us~120us
101 {
102 ds = 0;
103 i = 8; while(i>0) i--; //拉低约64us, 符号要求
104 ds = 1;
105 i++; i++; //整个写0时隙过程已经超过60us, 这里就不用像写1那样, 再延时64us了
106 }
107 }
108}
109
110//向DS18B20发送温度转换命令
111void sendChangeCmd()
112{
113 dsInit(); //初始化DS18B20, 无论什么命令, 首先都要发起初始化
114 dsWait(); //等待DS18B20应答
115 delay(1); //延时1ms, 因为DS18B20会拉低DQ 60~240us作为应答信号
116 writeByte(0xcc); //写入跳过序列号命令字 Skip Rom
117 writeByte(0x44); //写入温度转换命令字 Convert T
118}
119
120//向DS18B20发送读取数据命令
121void sendReadCmd()
122{
123 dsInit();
124 dsWait();
125 delay(1);
126 writeByte(0xcc); //写入跳过序列号命令字 Skip Rom
127 writeByte(0xbe); //写入读取数据令字 Read Scratchpad
128}
129
130//获取当前温度值
131int getTmpValue()
132{
133 unsigned int tmpvalue;
134 int value; //存放温度数值
135 float t;
136 unsigned char low, high;
137 sendReadCmd();
138 //连续读取两个字节数据
139 low = readByte();
140 high = readByte();
141 //将高低两个字节合成一个整形变量
142 //计算机中对于负数是利用补码来表示的
143 //若是负值, 读取出来的数值是用补码表示的, 可直接赋值给int型的value
144 tmpvalue = high;
145 tmpvalue <<= 8;
146 tmpvalue |= low;
147 value = tmpvalue;
148
149 //使用DS18B20的默认分辨率12位, 精确度为0.0625度, 即读回数据的最低位代表0.0625度
150 t = value * 0.0625;
151 //将它放大100倍, 使显示时可显示小数点后两位, 并对小数点后第三进行4舍5入
152 //如t=11.0625, 进行计数后, 得到value = 1106, 即11.06 度
153 //如t=-11.0625, 进行计数后, 得到value = -1106, 即-11.06 度
154 value = t * 100 + (value > 0 ? 0.5 : -0.5); //大于0加0.5, 小于0减0.5
155 return value;
156}
157
158unsigned char const timeCount = 3; //动态扫描的时间间隔
159//显示当前温度值, 精确到小数点后一位
160//若先位选再段选, 由于IO口默认输出高电平, 所以当先位选会使数码管出现乱码
161void display(int v)
162{
163 unsigned char count;
164 unsigned char datas[] = {0, 0, 0, 0, 0};
165 unsigned int tmp = abs(v);
166 datas[0] = tmp / 10000;
167 datas[1] = tmp % 10000 / 1000;
168 datas[2] = tmp % 1000 / 100;
169 datas[3] = tmp % 100 / 10;
170 datas[4] = tmp % 10;
171 if(v < 0)
172 {
173 //关位选, 去除对上一位的影响
174 P0 = 0xff;
175 wela = 1; //打开锁存, 给它一个下降沿量
176 wela = 0;
177 //段选
178 P0 = 0x40; //显示"-"号
179 dula = 1; //打开锁存, 给它一个下降沿量
180 dula = 0;
181
182 //位选
183 P0 = 0xfe;
184 wela = 1; //打开锁存, 给它一个下降沿量
185 wela = 0;
186 delay(timeCount);
187 }
188 for(count = 0; count != 5; count++)
189 {
190 //关位选, 去除对上一位的影响
191 P0 = 0xff;
192 wela = 1; //打开锁存, 给它一个下降沿量
193 wela = 0;
194 //段选
195 if(count != 2)
196 {
197 /**//* if((count == 0 && datas[count] == 0)
198 || ((count == 1 && datas[count] == 0) && (count == 0 && datas[count - 1] == 0)))
199 {
200 P0 = 0x00; //当最高位为0时, 不作显示
201 }
202 else*/
203 P0 = table[datas[count]]; //显示数字
204 }
205 else
206 {
207 P0 = tableWidthDot[datas[count]]; //显示带小数点数字
208 }
209 dula = 1; //打开锁存, 给它一个下降沿量
210 dula = 0;
211
212 //位选
213 P0 = _crol_(0xfd, count); //选择第(count + 1) 个数码管
214 wela = 1; //打开锁存, 给它一个下降沿量
215 wela = 0;
216 delay(timeCount);
217 }
218}
219
220void main()
221{
222 unsigned char i;
223
224 while(1)
225 {
226 //启动温度转换
227 sendChangeCmd();
228 //显示5次
229 for(i = 0; i < 40; i++)
230 {
231 display(tempValue);
232 }
233 tempValue = getTmpValue();
234 }
235}
改进后的效果图:
只有一位小数
两位小数, 并消除下一位对上一位的影响
(PS: 写这篇文章期间, 07年迟来的冬天过去了, 温度上升了5℃....温暖^_^)
其它参考资料:
1. 《51单片机C语言应用程序设计实例精讲》, 戴佳,戴卫恒编著,电子工业出版社。