A7600C USIM卡接口设计

A7600C支持1.8V和3.0V 的USIM卡。USIM卡的接口电源由模块内部的电压稳压器提供，正常电压值为3V或者1.8V。
1.8V 模式时 USIM 接口电气参数（USIM_VDD=1.8V）如下图：
3.0V 模式时 USIM 接口电气参数（USIM_VDD=3V）如下图：
USIM 参考设计
下图是USIM卡推荐接口电路。为了保护USIM卡，建议使用ST(www.st.com)公司的ESDA6V15W器件或者ON SEMI (www.onsemi.com)公司的SMF15C器件来做静电保护。SIM卡的外围电路器件应该靠近USIM卡座放置。8引脚USIM卡座的推荐电路如下图。
参考电路如下图所示。
注意：USIM_DATA 已通过 4.7KΩ电阻上拉到 USIM_VDD，外部电路不需要上拉。另外，在 USIM_VDD上的 100nF 去耦电容建议必须保留。
SIM卡电路比较容易受到干扰，引起不识卡或掉卡等情况，所以在设计时请遵循以下原则：

• 在 PCB 布局阶段一定要将 USIM 卡座远离主天线。
• USIM 卡走线要尽量远离 RF 线、VBAT 和高速信号线，同时 USIM 卡走线不要太长。
• USIM 卡座的 GND 要和模块的 GND 保持良好的联通性，使二者 GND 等电位。
• 为防止 USIM_CLK 对其他信号干扰，建议将 USIM_CLK 做单独包地保护处理。
• 建议在 USIM_VDD 信号线上靠近 USIM 卡座放置一个 220nF 电容。
• 在靠近 USIM 卡座的地方放置 TVS，该 TVS 的寄生电容不应大于 50pF 的，如 ESD9L5.0ST5G。  在 USIM 卡座和模块之间串联 22Ω电阻可以增强 ESD 防护性能。
• 为了使走线最为顺畅，建议使用单路 TVS，靠近卡座的各个引脚放置。
• USIM_CLK 信号非常重要，客户应保证 USIM_CLK 信号的上升沿和下降沿时间小于 40ns，否则可能会出现识卡异常的现象。

USIM 卡座的选择：
6引脚的USIM卡座推荐使用Amphenol公司的C707 10M006 512。
Amphenol USIM 卡座引脚描述：

注意：如果设计的是车载产品，请选择可靠性更好的 push-push 结构的 SIM 卡座。