低功耗1M字乘8位高速异步SRAM

ISSI IS61/64WV10248EDBLL是非常高速，低功耗的1M字乘8位高速异步SRAM。IS61/64WV10248EDBLL采用ISSI的高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺技术与创新的电路设计技术相结合，可生产出性能更高且功耗更低的器件。当CE为高电平（取消选择）时，器件采用待机模式，在该模式下可以通过CMOS输入电平来降低功耗。

IS61/64WV10248EDBLL采用单电源进行供电，所有输入均兼容TTL。IS61WV10248EDBLL采用48球微型BGA（6mmx8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。

功能框图

特征
•高速访问时间：8、10、20ns
•高性能，低功耗CMOS工艺
•多个中心电源和接地引脚，增强了抗噪能力
•通过CE和OE选项轻松扩展内存
•CE掉电
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•TTL兼容输入和输出
•可用软件包：
–48球mini BGA（6mmx8mm）
–44引脚TSOP（II型）
•工业和汽车温度支持
•无铅

引脚配置