当今世界环境保护已蔚然成风，力求节约能源，因此强烈要求电子系统低功耗化和低电压化。而且由于制造SRAM的半导体工艺精细化，SRAM要求低电压供电。因而近年来研究低电压供电技术活动十分活跃。在高速SRAM里，既要求高速度又要求低功耗，这是互相矛盾的两种要求。

SRAM市场动向

●低功耗sram
移动电话和寻呼机等便携电子产品市场里，要求机器小型、轻便和由电池长时间供电;因此，便携电子产品也要求SRAM器件实现低电压供电例如要求供电电压低到2.5V乃至1.8V;同时要求SRAM的等待状态电流值和保持存储的数据所必要的电流值都应该大幅度缩小，而且封装结构必须小型化，例如要采用芯片规模(尺寸)封装CSP 。特别值得提及的是，面向移动电话的SRAM, 要求兼顾SRAM和快闪存储器芯片，放在同一封装结构里如像利用迭层封装。

●高速sram
在检测、测量试验机器、交换机和基地站等测试和通信市场里,对于高速SRAM器件需求强烈:例如，要求高速SRAM采用5V/3.3V供电，存取速度为10~15ns,存储容量为1Mb ~4Mb。

●同步SRAM
作为PC机二级缓冲存储器虽然用同步SRAM 器件,但是现在的微处理器芯片里通常都内置有同步SRAM.因此，作为PC机一级缓冲存储器对干SRAM的需求量.今后将愈来愈少。与此相反，上程工作站EWS 和服务器要求外接的二级缓冲存储器,却愈来愈需要大量的高速同步SRAM器件。另外在网络应用领域里，现已出现一种具备“零总线交换”ZBTM新功能的同步SRAM产品.