近年来，片上存储器发展迅速，根据国际半导体技术路线图（ITRS），随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展，晶体管特征尺寸进一步缩小，半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。

SRAM 写操作。
写操作就是把数据写入指定的SRAM 存储单元中。首先片选信号CEBB 置为低电平，读控制电路开始运作。10 位写地址线AB0-AB9、16位数据输入DI0-DI15 准备就绪，地址信号有效，系统开始译码、选择要写入的存储单元以及需要写入的数据。当时钟信号CKB 高电平到来时，CKB 信号控制译码电路完成最后的译码，行译码电路选中的那一行存储单元写字线WWL 将会打开；16 位数据经过输入输出电路中的写电路传递到写字线BL 上，从而把数据写入选中的存储单元。

SRAM 读操作。
读操作即是把SRAM 阵列中指定单元中存储的数据读取出来。片选信号CEBA 置为低电平，读控制电路运作。与写操作相同，10 位读地址线AA0-AA9 提前准备就绪，经过译码器选择指定的存储单元；同时读位线RBL 被预充电到高电平。预充电一段时间后时钟信号CKA 到来，译码完成，打开指定存储单元的读字线RWL，对存储单元进行读操作。此时灵敏放大器被激活，读位线RBL 上的电压变化会传递到灵敏放大器中，灵敏放大器可以根据RBL的电压变化情况把结果送到输出电路，输出的二进制序列从端口DO0-DO15 读出，从而读出特定存储单元的数据。