IC中的PVT

IC中的PVT

1.工艺角-process corner

不同的晶片和不同的批次之间,因为掺杂、刻蚀、温度等外界因素导致MOSFETs参数的变化范围比较大。为减轻设计困难度,需要将器件性能限制在某个范围内,并报废超出这个范围的芯片,来严格控制预期的参数变化。工艺角即为这个性能范围。[1]

1.2 5-Corner model

TT:nmos -Typical corner & pmos -Typical corner
FF:nmos -Fast corner & pmos -Fast corner
SS:nmos -slow corner & pmos -slowl corner
FS:nmos -Fast corner & pmos -slow corner
SF:nmos -slowl corner & pmos -fast corner
注:Typical是指晶体管驱动电流(Ids)是一个平均值;
Fast是指晶体管驱动电流是最大值;
Slow是指晶体管驱动电流是最小值。

2. PVT

除了工艺角外,还有电压、温度和最好/坏的情况等条件才组合成PVT(Process、Voltage、Temperature)条件。
电压:1V+10% ,1V ,1V-10%
温度:-40C , 0C, +25C, 125C

时序分析中:
最好的条件(Best Case)——速度最快的情况;
最坏的条件(Worst Case)——速度最慢的情况;

2.1 PVT组合

会依据仿真需求,使用不同的PVT组合,
——以用于STA分析。
WCS(Worst Case Slow):slow process,high temperature,lowest voltage
TYP(Typical):typical process,nominal temperature,nominal voltage
BCF(Best Case Fastl):fastl process,lowest temperature,high voltage
WCL(Worst Case @coldl):slowl process,lowest temperature,lowestl voltage
——以用于功耗分析
ML(Maximal Leakage):fast process,high temperature,high voltage
TL(Typical Leakage):typical process,high temperature,nominal voltage
——另一组合条件:Scenarios
Scenarios=Interconnect + operation mode + PVT
1.内连线情况:Interconnect corner
即制造对互连线的影响;R_typical C_typical;R_maxl C_max;R_minl C_min;R_maxl C_min;
2.工作模式:function mode ,scan mode, sleep mode, standby mode, active mode
对多种Scenarios的综合分析,称之为MMMC(Multi-Mode Multi-Corner)分析。

OCV (On-chip Variation)

OCV可用来描述PVT在单个芯片所造成的影响。
##参考文献

[1]
(https://wenku.baidu.com/view/bcbe0efa941ea76e58fa044c.html).
[2](https://blog.csdn.net/hepiaopiao_wemedia/article/details/98077146)

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