光刻技术加工

光刻过程的典型步骤是匀胶，盖上掩模板，光刻，显影，制备微米级或纳米级的图形。

光掩模

目前光刻图形化使用的掩模版常为均胶铬板，即在高洁净度、平整度的玻璃(苏打玻璃或石英玻璃)上镀铬金术，覆盖一层防反射物质(Anti-Reflective，AR)，最后涂一层感光胶制备而成。

光刻胶(光阻)

光刻胶也叫光阻聚合物，像胶水一样粘稠。和相机的底片感光一样，在受到照射后会发生变化，非化学放大型光刻胶分为正胶、负胶以及双型胶

光刻胶类型	特性
正胶	被光照的部分在显影后会被去除，被掩模版遮挡而未受到光照的地方不会被显影去除。 聚合物成分常为酚醛或环氧树脂，常使用醋酸盐类溶剂
负胶	被光照的部分在显影后会被保留，被掩模版遮挡而未受到光照的地方会被显影去除。 最普遍的负胶是聚异戊二烯，常使用二甲苯为溶剂
双型胶	根据显影液不同可以分别表现出正胶特性或负胶特性

匀胶

将光刻胶涂于基底上，放入匀速转盘旋转
匀胶厚度为
$ T = \frac{KC^\beta\eta\gamma}{\omega^\alpha} $
其影响因素有转速、分子质量、溶液浓度以及平台固有的一些属性。

光刻

光刻系统常分为接触式、透射投影式和反射投影式。
以负胶为例，在进行光刻时，被曝光的光刻会胶形成不溶于显影液的交联聚合物，未被曝光的部分会被显影液分解掉。

光学光刻的分辨率

光刻方式	分辨率
接触式	$R=3\sqrt{\lambda (s+\frac{Z}{2})}$
透射或反射投影式	$R=\frac{k\cdot \lambda }{NA}$

$\lambda$为波长，s为光学掩模和光刻胶的距离，Z为光刻胶厚度，NA为数值孔径，k为与实际相关的系数，在0.5~1.0间，一般为0.8

光源

光源采用波长短的紫外光

Type	波长
近紫外(Near UV)	300~600 nm
远紫外(Far UV)	250~300 nm
深紫外(Deep UV)	100~250 nm