电源防反接电路设计

在一些电源供电场景中，经常碰到电源极性接反会导致后端电容爆炸或者芯片烧毁，造成不可逆的后果。所以在电源设计时需要考虑防反接，避免以上问题出现。当电源采用端子接口连接时，一般会做防呆处理，保证接错时不会正常插入，这属于物理层面的防反接设计，本篇文章介绍几种硬件防反接设计。

• 使用二极管

最简单的实现方式，当电源正接时，电源经过二极管正向导通电压给负载提供电压。当电源反接时由于二极管单向导通反向截止导致后端负载不会供电，起到保护作用。该电路有弊端，一是正向压降较大，普通二极管压降大概在0.7V，肖特基二极管导通压降在0.3V，且价格较贵。二是当负载电流大时，在二极管端消耗功耗较大。

此方案针对电源电压较高，对损耗要求不高的场景。

• 使用MOSFET

MOSFET具有极低的导通电阻且损耗很小,非常适合以最低损耗提供反向保护。

上图提供了不同MOS管的电路位置，NMOS在接地回路，PMOS在电源路径。
在每个电路中，MOS管的体二极管朝向正常电流的方向。 当电源接反时， NMOS (PMOS) 栅极电压为低电平（高电平），从而阻止其开启。 当电源安装正确并且正常通电时，NMOS (PMOS)栅极电压变为高电平（低电平），其通道使二极管短路。

NMOS会破坏地回路,对地回路敏感的应使用PMOS进行反接。在实际使用电路中，MOS栅极需要串联电阻进行保护。

一些MOS型号推荐如下表：