ARM9 mini2451裸机学习——NAND flash驱动学习 1

一。基础

Flash:NOR Flash ,NAND Flash

系统上电时，会执行IROM中固化代码，把NAND Flash中的前4k拷贝到0x4000 0000（芯片内部RAM）位置运行。内存（外接芯片）（0x3000 0000）

如果执行的代码小于4k，程序直接在内部RAM直接运行。

如果执行代码大于4k，要把代码完整搬到内存运行。

NOR Flash的块（擦除单元）大小为 64kb-128kb 擦除时间4s

NAND Flash 8kb-64kb    2ms

Flash可靠性考虑3点：位反转（用EDC/ECC检测恢复），坏块，可擦除次数。

二。重点

1、mini2451 NAND Flash大小为 256MB,型号为K9F2G08U0B

2、命名规则：看官网文档（三星）

    

3、

一页：2K+64B

一块：64页 即 128K+4K

1 device：2048块 * 64页 * （2K+64B）

NAND Page = 2048B+64B(2K+64B)

block = 64 * page

     = 64 * 2048B        //1024B = 1KB

   =128K

device = 2048 * 128K = 256M = 2GBit

4、NAND Flash 接口：

RnB：忙信号 1：ready 0：busy

nRFE：读使能

nFCE：chip enable 0：有效，选中芯片 1：操作无效

FCLE：命令锁存(cmd lock enable)

FALE：地址锁存（address lock enable）

nFWE：写使能 （write enable）0：有效

5、NAND Flash初始化

确定TACLS,TWRPH0，TWRPH1三个值

TACLS ：表征了从 CLE/ALE 锁存信号有效到写使能经过的时间，具体时间为：=HCLK 时钟周期 * TACLS
TWRPH0 ：表征了写有效持续时间，具体时间：=HCLK 时钟周期 * (TWRTH0 + 1)
TWRPH1 ：表征了写无效到锁存无效的时间，具体时间：=HCLK 时钟周期 * (TRWTH1 + 1)

TACLS = 1，TRWTH0 = 4 , TRWTH1 = 1

6、时序图

A0-A11用来页内寻址 2048+64B

A18-A28用来块寻址   2048块

A12-A17用来表示某块中的第几页 64页