STM32CubeMX开发之路—8Flash读写

STM32CubeMX开发之路—8Flash读写

---

运行环境

• Windows10
• STM32CubeMX___Version 5.0.0
• Keil5(MDK5)___Version 5.15

---

简介

本例程主要讲解如何对芯片内的Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F103ZET6，512K大小的Flash。

---

STM32CubeMx基本配置

基础配置过程请参考 STM32CubeMx(Keil5)开发之路—配置第一个项目
printf重定向例程请参考 STM32CubeMx(Keil5)开发之路——3发送USART数据和printf重定向

---

代码修改

---

1——选择main.c文件
2——添加全局变量在全局变量区
3——在USER CODE中添加如下代码，Flash写入函数和Flash读出函数
讲解：本例程是512K大小的Flash，使用的是最后一个扇区的第一页（每个扇区有四页）
如果使用Flash大小为256K的芯片addr请设为0x0803E000
如果使用Flash大小为128K的芯片addr请设为0x0801F000
如果使用Flash大小为64K的芯片addr请设为0x08007000

/* Private user code ---------------------------------------------------------*/
/* USER CODE BEGIN 0 */
int fputc(int ch, FILE *f)
{
    HAL_UART_Transmit(&huart1, (uint8_t *)&ch,1, 0xFFFF);
    return ch;
}

uint32_t WriteFlashData = 0x12345678;
uint32_t addr = 0x0807E000;

/*FLASH写入程序*/
void writeFlashTest(void)
{
	/* 1/4解锁FLASH*/
	HAL_FLASH_Unlock();

	/* 2/4擦除FLASH*/
	/*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*/
	/*擦除方式页擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES，块擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*/
	/*擦除页数*/
	/*擦除地址*/
	FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
	FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
	FlashSet.PageAddress = addr;
	FlashSet.NbPages = 1;
	
	/*设置PageError，调用擦除函数*/
	uint32_t PageError = 0;
	HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);

	/* 3/4对FLASH烧写*/
	HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr, WriteFlashData);

	/* 4/4锁住FLASH*/
	HAL_FLASH_Lock();
}

/*FLASH读取打印程序*/
void printFlashTest(void)
{
	uint32_t temp = *(__IO uint32_t*)(addr);

	printf("addr is:0x%x, data is:0x%x\r\n", addr, temp);
}
/* USER CODE END 0 */

接着在USER CODE BEGIN WHILE中接着添加如下代码，进行读写测试测试

  /* Infinite loop */
  /* USER CODE BEGIN WHILE */
  
  /*Flash TEST*/
  WriteFlashData = 0x12345678;
  writeFlashTest();
  printFlashTest();
  WriteFlashData = 0x87654321;
  writeFlashTest();
  printFlashTest();
  
  while (1)
  {
	  
    /* USER CODE END WHILE */

    /* USER CODE BEGIN 3 */
	  
  }
  /* USER CODE END 3 */
}

烧录代码后打开出口调试助手，正确的话会看到如下输出

---