TMS320F28335项目开发记录11_28335之存储系统

    TMS320F28335为哈佛结构的DSP，在逻辑上有4M×16位的程序空间和4M×16位的数据空间，但在物理上已将程序空间和数据空间统一成一个4M×16位的空间。

    TMS320F28335片上有256K×16位的FLASH，34K×16位的SRAM，8K×16位的BOOT ROM，2K×16位的OPT ROM。

1、 TMS320F28335片上SARAM 

TMS320F28335片内共有34K×16位单周期单次访问随机存储器的SARAM，分成10个块，他们分别称为M0、M1、L0-L7。

MO和M1块SARAM的大小均为1K×16位，当复位后，堆栈指针指向M1块的起始地址，堆栈指针向上生长。M0和M1段都可以映射到程序区和数据区。

L0-L7块SARAM的大小均为4K×16位，既可映射到程序空间，也可映射到数据空间，其中L0-L3可映射到两块不同的地址空间并且受片上的FLASH中的密码保护，以免存在上面的程序或数据，被他人非法拷贝。

2、 TMS320F28335片上FLASH和OTP 
    TMS320F28335片上有256K×16位嵌入式FLASH存储器和1K×16位一次可编程EEPROM存储器，他们均受片上FLASH中的密码保护。FLASH存储器由8个32K×16位扇区组成，用户可以对其中任何一个扇区进行擦除、编程和校验，而其他扇区不变。但是，不能在其中一个扇区上执行程序来擦除和编程其他的扇区。(表示质疑，可以使用28335提供的Flash API函数进行在线的编程烧写Flash)

3、 TMS320F28335外部存储器接口 
   TMS320F28335的外部存储器接口包括：20位地址线，16（最大32）位数据线，3个片选控制线及读写控制线。这3个片选线映射到3个存储区域，Zone0,Zone6和Zone7。这3个存储器可分别设置不同的等待周期。

Zone0  存储区域：    0X004000—0X004FFF, 4K×16位   可编程最少一个等待周期

Zone6  存储区域：    0X100000—0X1FFFFF, 1M×16位  10ns   最少一个等待周期

Zone7  存储区域：    0X200000—0X2FFFFF, 1M×16位  70ns   最少一个等待周期