半导体器件技术

1 什么是半导体

真空管,1904

晶体管,1947

电阻率ρ,电导率σ

导体,半导体,绝缘体

四价元素,硅,高纯度晶体硅,正四面体结构,电子层,最外层电子

 

2 硅的物理特征

硅原子内部:圆周运动 ×  波函数√

电子云,概率,硅原子中的能量等级K,L,M层

导带,阻带,能量带空隙,自由电子

空穴理论

根据波函数算自由电子波长,然后算电子波能量,导带的能级密度

费米-狄拉克分布,可以计算在硅单质中的电子数以及空穴数

费米能量,玻尔兹曼常数,绝对温度

掺杂半导体,P型,N型

 

3 PN结和二极管

扩散电流和漂移电流,迁移率

库伦定律和泊松方程

耗尽区

PN结I-V关系的推导

 

4 三极管

NPN型 发射极 基极 集电极

放大电路

 

5 MOSFET

比较MOSFET和三极管的区别

MOSFET的能量模型,平带状态,聚集状态,耗尽状态,反型层状态,强反型层

log(Ids)vs Vgs,S参数,

Ids vs Vds 公式推导,Pinch-off点

qN1 = Cox(Vgs - Vth)

Back gate(body bias)

Vth vs Vbs 图像

门电容Cg

短沟道效应:击穿,DIBL

热电子:Vth在器件寿命中的增加,Floating gate,Floating body

latch up现象

 

6  CMOS集成电路

CMOS的静态特性,直流特性,输入输出曲线,Vm,Imax

图像对称:βn = βp ,W/L比

CMOS的动态特性,电路模型,上升时间,下降时间

环形振荡器

反相器链:自然增长e

CMOS组合逻辑电路:NAND,NOR,复合门

CMOS时序电路:RS锁存器,JK锁存器,主从触发器

传输门实现的D触发器

1/2分频电路

电流镜灵敏放大器

锁存型灵敏放大器

charge pump电路:电容,二极管,电压源

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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