精通开关电源设计（一）

1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻，实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。

2. MOSFET的寄生参数（电容）是限制其开关速度（转换时间）的重要因素。

3. 有些损耗从本质上与频率无关（如导通损耗）。实际上，其他损耗几乎都随频率的升高而成比例的增加，如交叉损耗。因此，一般来说，降低（而不是提高）开关频率几乎总是有助于提高效率。---高频开关时遇到的问题。

4. 提高频率的目的居然是让开关频率的噪声超出人类的听觉范围，并且开关电源中的大型元器件电感的尺寸也会随之减小。

5. 电源在任一时刻的可靠性R定义为R(t)=exp(-λt）。在t=0时，可靠性为最大值1，可靠性随着时间的推移呈指数规律下降。λ为电源失效率，在一定时间段内失效的电源数量。另一个常用的名词是MTBF，及平均无故障时间，λ=1/MTBF。