电容器

 1 电容器

 除了预期的电容外， 所有电容器还包含寄生电阻、 寄生电容和寄生电感。

                   

C 是电容器设计的电容， Cp 是寄生电容，L是寄生电感，R是电容器的有效串联电阻

 

Xc = 1/2Πfc，      Xcp = 1/2ΠfCp,

电容的电抗随着频率的增加而降低。 Cp 是通常非常低的寄生电容。 因此，该元件的电抗在低频下非常高。由于该元件与主电容并联，因此在低频下， Cp 没有影响。

 

XL = 2ΠfL

寄生电感的电抗随频率增加。通常 L 在电容器中是非常小的值; 所以，在低频率下， XL可以忽略不计

 

R 是电容器的有效串联电阻, 它通常是一个非常低的值。

           

 

2 电容器的品质因数

 

3 电容器推荐

▪ 对于匹配网络的组件，只能使用 C0G / NP0 电容器。这可确保匹配网络在整个温度范围内不发生变化。

       C0G / NP0属于I 类瓷介电容，特点是容量稳定性好，基本不随之温度、电压、时间的变化而变化，但是容量一般较小；温度特性 (温度范围:-55度～125度、温度系数：0±30ppm/℃以内。

▪ 对于晶体负载，只能使用 C0G / NP0 电容。这确保了时钟定时和 RF 频率在整个温度范围内不会改变。

▪ 对于匹配网络，选择在远低于 SRF 时工作正常的电容器。

▪ 射频电路只能使用高 Q 电容。

▪ 对于去耦电容，可能不需要 C0G 电容的精度。通常使用 X5R 或 X7R 电容器 (取决于温度范围)。使用低 ESR(等效串联电阻)电容器进行有效的去耦

▪ 对于去耦电容，选择在噪声频率下具有 SRF 的元件值。

▪ 建议使用较小的元件 (0402 或 0201)，因为它们的寄生电抗较小。

▪ 将直流模块添加到已匹配的射频走线时，最好使用 SRF 接近工作频率且 ESR 较低的电容，因为 SRF 的电容有效电抗变为零。所以它不会改变阻抗匹配。