模电二:电容、三极管、场效应管介绍

电容

什么是电容
它有两个电极板,和中间所夹的介质封装而成,具有特定功能的电子器件。
电容的作用
旁路、去耦、滤波、和储能的作用。

1、旁路的作用

模电二:电容、三极管、场效应管介绍_第1张图片 模电二:电容、三极管、场效应管介绍_第2张图片

分析:先看左图,假设Circuit部分代表CPU,如果不加电容,电源由于外界干扰,输入信号是波动的信号,如右图,CPU在输出高电平的时候会由于电源(VCC)不稳定而造成逻辑上的错误,在实际应用中是很致命的.

加入电容的作用:
1、使输入电压均匀化,减小噪声对后级的影响。(图中C2、C3 ,通交流隔直流,将交流信号直接导地)
2、进行储能,当外界信号变化过快时,及时进行电压的补偿。比如CPU电平的变化是非常的快的,VCC可能来不及供电,这时电容就能及时供能(图中C4,使输出平稳,不易受外界影响)

2、去耦(退耦)电容的作用
1、去耦电容和旁路电容的作用是差不多的,都有滤除干扰信号的作用,只是旁路电容针对的是输入信号,而去耦电容针对的是输出信号。
2、去耦电容一般比较大10uF或更大,旁路电容一般根据谐振频率是0.1uF或0.01uF。
模电二:电容、三极管、场效应管介绍_第3张图片

3、滤波和储能
滤波作用:滤除杂波,大电容滤低频,小电容滤高频(比常见的有4.7uF,0.1uF,0.01uF)

储能作用:收集电荷
应用:
例如:给时钟芯片DS1302供电(一般会在DS1302的电源和地之间加一个电容,目的就是防止当无VCC时,电容能给时钟芯片供电一小段时间)

电容在电路中连接问题

铝电解电容 瓷片电容 独石电容
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常用电容极性判断: 铝电容:长脚为正极,短接为负极,或者电容上标有银色负号的一边为负极,瓷片电容和独石电容无极性,但设备生产中也有工艺要求。

注意:①耐压值②防止短接

电容应用总结
1、电源上的电容作用一般是滤除电源电压的波动。小电容滤高频,大电容滤低频,并且还提供一定的电压储备,以备后续电路的需要
2、对于一些干扰性强的环境,电容的加入可以减少很多电路控制上不必要的麻烦,在使用电容时,还要注意耐压值和反接问题。
3、电容使用的取值大小可以参考别人的一些电路,很多都是工程上的一些经验

晶体三极管

什么是晶体三极管?
由半导体组成具有三个电极的晶体管

模型和结构

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三极管的特点:它是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。
三种工作状态:放大状态、饱和状态、截止状态

1、怎么让它工作在放大状态呢?
条件:发射结(b和e之间)正偏(UB>UE),集电结(c和b之间)反偏(UC>UB)
给基极一个电流 ib,则集电极 ic = β ib,发射极 ie = ib + ic = (1 + β)ib。其中β为放大倍数。
2、怎么让它工作在截止状态呢?
条件:发射结反偏(UB 3、怎么让它工作在饱和状态呢?
饱和状态是指ib和ic都很大时,ic已经不受ib控制了,此时,三极管工作在饱和状态
条件:发射结和集电结均为正偏。(UB>UE,UB>UC)

三极管的作用与常见应用
PNP和NPN的差别

三极管各种状态的测试
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注:
XMM1测量 ie
XMM2测量 ib
XMM3测量 ic
XMM4测量 UBE
XMM6测量 UCE

总结:
截止状态:
特点:IB=0,IC=0,IE=IB+IC=0;
工作状态:集电极和发射极之间相当于开路
放大状态:
特点:IB=(VCC-VBE)/RB,IC=β IC,IE=(1+β) IC
工作状态:1、IB一定时,IC的大小与UCE无关
2、IC的大小只受IB控制
饱和状态:
特点:IB和IC都很大,IC不受IB的控 制,UCE两端电压很小,相当于导线 ,工程上我们认为硅饱和导通的UCE的压降为0.3V,锗管为0.1V

三极管主要参数
1、共发射极电流放大系数
一般为10~100倍,应用中一般取30-80倍为宜(太小不明显,太大三极管工作不稳定)
2、集电极最大允许电流ICM (即集电极IC不能大于ICM,否则容易烧毁)
3、集电极最大允许耗散功率PCM
4、集电极—发射极间反向击穿电压V(BR)CEO (Uc大于Ue时差值不能大于这个值)-----待查询确认。

实际三极管参数示例:
模电二:电容、三极管、场效应管介绍_第10张图片

场效应管

什么是场效应管?
它是一种电压控电流的器件。它有三个电极
栅极(G),漏极(D),源级(S)
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测试电路
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模电二:电容、三极管、场效应管介绍_第13张图片

总结
//测试电路中V1为 UGS,V2为UDS
(1)可变电阻区
(特点:当UDS比较小时,ID随UGS的变化而变化)
(2)恒流区
(特点:ID不随UDS变化,只随UGS增大而增大)
(3)截止区
(特点:UGS小于1.5V,ID=0,场效应管不导通)
(4)击穿区
(特点:当UDS增大到一定值时,场效应管被击穿,ID突然增大,如无限流措施,管子将烧坏,在场效应管使用中一定要注意,防止管子击穿)
(5)过损耗区
特点:如果长时间工作在此区域,没有很好的散热措施,很可能由于功率较大,造成管子烧坏。所以在使用中也要注意。管子的散热和最大功率

三极管和场效应管的比较

模电二:电容、三极管、场效应管介绍_第14张图片
关于元器件阻抗大小对电路的或者其他元件的影响:高手总结:输入输出阻抗原来是这么回事?
模电二:电容、三极管、场效应管介绍_第15张图片

增强型中的N沟道相当于三极管中的NPN,增强型中的P沟道相当于三极管中的PNP;
耗尽型:当UGS两端电压等于0V时,此时只要给UDS两端电压,即能产生电流ID
增强型:当UGS小于开启电压UT比如1.5V,此时UDS之间不管加入多大电压都相当于断开。

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