NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)

NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)，是指断电后仍能保持数据的一种RAM。　　如果通俗地解释非易失性 存储器，那就是指断电之后，所存储的数据不丢失的随机访问存储器。　　之所以加如此的定语，是因为：　　1.与此对应的随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）包含SRAM和DRAM（其又分为SDRAM，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM ，RDRAM，Direct RDRAM），断电之后信息就丢失了。其中，DRAM又分为SDRAM（由6个晶体管组成），DDR SDRAM（有一个晶体管组成），DDR2 SDRAM（利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据，使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍） ，和采用RSL技术的RDRAM，Direct RDRAM），

　　2.NVRAM可以随机访问。因此有些解释中，说Flash是属于NVRAM，是不准确的。因为从严格意义上来说，Flash分有两种：nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的，而nand flash不是真正的随机访问，属于顺序访问（serial access）。

 

1.带有备用电源的SRAM

　　2.借助NVM（比如E2PROM）存储SRAM的信息并恢复来实现非易失性。

　　对于我们身边处处可见的U盘，数码相机、可拍照手机、PDA、以及其中的存储卡，如CF、SD等等，内部多数是采用的Nand Flash。

　　而Nor Flash 对用于嵌入式中少量系统等信息的存储。

　　对于Nand Flash 和Nor Flash的区别和各自特点，可以参考Linux MTD 官网 http://www.linux-mtd.infradead.org/doc/nand.html 和 NAND和NOR的比较

　　手机上所谓的NVRAM是一套机制，它的数据部分：default存在flash的code区，NARAM文件存在文件系统区域（系统盘）phone的电话本数据是以NVRAM文件的形式保存在文件系统区域的（系统盘），SIM卡的电话本就在SIM卡上了，T卡是扩展的flash，都是文件系统区

 

非易失性存储器主要有以下类型：

• ROM （Read-only memory，只读存储器）
  • PROM （Programmable read-only memory，可编程只读存储器）
  • EAROM (Electrically alterable read only memory，电可改写只读存储器)
  • EPROM （Erasable programmable read only memory，可擦可编程只读存储器）
  • EEPROM （Electrically erasable programmable read only memory，电可擦可编程只读存储器）
• Flash memory （闪存）

 

 

清除NVRAM数据：

不同的NVRAM，清除方法不同。

NVRAM主要是设备出厂时放入的该设备型号参数等基本信息的芯片，一般操作不是清除而是复位。