CMOS模拟集成电路放大器四

在本章，我们主要分析共源放大器的最后一种类型，源级跟随器话不多说，我们先把源跟随器的结构给出来：

在此结构中，我们发现的不同在于，在共源级放大器常常接到VDD和漏极之间的电流源接到了源级中，那么这样会产生什么影响呢，在分析之前我们先规定考虑沟道长度调制所产生的电阻，那么此时，我们便可以得到电路的小信号模型如下：

在图中假设ro为沟道长度调制而得到的电阻，ro1为电流源的内阻，那么此时，可以通过列写下列方程：
对左边回路列写KVL：Vin = V1 + Vout
对其中一回路列写KCL：gmV1(流入)=(Vout/ro1)+(Vout/ro)(流出)
联立两个方程得到增益Av = gm/[gm+(1/ro)+(1/ro1)]
显然此时，由于沟道长度挑刺产生的电阻和电流源的内阻很大，因此，gm+(1/ro)+(1/ro1)约等于gm,则增益约等于1，此时显然输入等于输出，因此起到电压跟随作用
除此以外，电压跟随器的输出电阻很小，具体计算如下，将内部电源置零，加压求流法有：

姑且先忽略ro1,此时有：IX+gmV1=VX/ro&&V1=-VX===>VX/IX=(1/gm)//ro
因此输出电阻为：Rout = (1/gm)//ro//ro1,显然看出此时输出电阻约为1/gm，因此可以证明源跟随器具有小的输出电阻，因此，其带负载能力会加强。