高可靠性的cypress异步SRAM

Cypress半导体生产高性能SRAM产品，用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。异步快速存储器芯片简称为：AsyncSRAM，速度一般在8/10/15ns,电压范围在1.65V~5V，可以满足大部分应用的电压设计

凭借可满足各种高可靠性工业，通信，数据处理，医疗，消费和军事应用的性能，快速和微功耗，SRAM器件可提供片上ECC。这些器件具有与上一代异步SRAM兼容的外形匹配功能。这使您无需投资PCB重新设计就可以提高系统可靠性。

具有ECC框图的快速SRAM

高可靠性：软错误率<0.1FIT/Mbit
ERR引脚指示单位错误
密度选项：4Mbit，8Mbit，16Mbit
快速访问时间：10ns（FAST）
超低待机电流：8.7μA（4MbitMoBL®）
总线宽度配置：x8，x16和x32
宽工作电压范围：1.8-5.0V
工业和汽车温度等级

PowerSnooze™

具有PowerSnooze框图的快速SRAM

赛普拉斯是第一家提供新器件系列的SRAM制造商，该器件系列将快速异步SRAM的访问时间与独特的超低功耗睡眠模式（Power Snooze™）相结合。具有Power Snooze的快速SRAM消除了异步SRAM应用中性能与功耗之间的折衷。在这个新的设备系列中，通过提供一种称为Power Snooze的新型超低功耗睡眠模式，可以实现现有产品系列的最佳功能。Power Snooze是标准异步SRAM操作模式（活动，待机和数据保留）的附加操作模式。深度睡眠引脚（DS＃）使器件可以在高性能活动模式和超低功耗Power Snooze模式之间切换。在4Mbit器件上的深度睡眠电流低至15μA时，

异步SRAM技术增强

纠错码（ECC）

赛普拉斯最新一代的异步SRAM器件使用（38,32）汉明码ECC进行单位错误检测和纠正。赛普拉斯超可靠异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有与ECC相关的功能，而无需用户干预。

多位交织

高能量的地外辐射会翻转多个相邻位，从而导致多位错误。纠错码的单比特错误检测和纠正功能通过比特交织方案进行了补充，以防止出现多比特错误。

这些功能加在一起，可以显着改善软错误率（SER）性能，从而导致业界领先的FIT率低于0.1FIT/Mbit。