MOS管应用1-选型

目前对于MOS管的使用原理已经有太多太多很好的参考文章了，但是对于MOS管选型的文章却是少的可怜。

1、吃透手册

1、首先我们打开一份datasheet，以IRF540为例子吧。

这个是ST公司的IRF540型号的MOS管

1、N-CHANNEL说明这是个N沟道的，一般常用N沟道，P沟道和N沟道管子优缺点可以对比一下
P沟道：内阻大，价格高，开关速度慢，过流小
N沟道：内阻小，价格低，开关速度快，过流大
2、100V是指这个MOS管工作最大电压为100V；

3、0.05欧姆是这个管子的内阻，内阻还挺大的，内阻当然是越小越好；
4、30A是这个管子导通后最大能通过30A电流，大于这个值管子就坏了，TO-220是封装

5、VDS：管子D级与S级两端的额定电压，超过这个电压运行一段时间会烧管子。
6、VDGR：管子D级和G级两端的额定电压
7、VGS:管子G级和S级两端的最大电压，这个值有个负值，是指S到G级的电压最大也可以达到20V

8、ID：管子通过的额定电流，这里有两个参数，一个是25℃条件下测量的，另外一个是在100℃条件下测量的，可以看出来温度上升了通过的电流反而变小了，注意MOS管工作也会发热。
9、IDM：这个是管子流过的瞬时电流，很短瞬间能承受120A的电流
10、Ptot：管子额定的功率，但是在25℃条件下测量的，实际上管子工作后温度会升高，所以选择管子的时候要预留2-3倍的余量。
11、Tstg：工作温度范围

12、Rthj-case：每升高一瓦功耗，外壳升高1或者3.33度
下面两个参数也是类似的温升

13、IGSS：是G级的漏电流

这里的Ciss、Coss、Crss参数很重要，MOS关开关速度和这三个值有关，反正这三个值越低越好，具体原因听下面讲解。
第4第5页是封装尺寸，这要考虑散热之类的。

2、精挑细选

1、看过压能力

一般MOS管都是作为开关管来使用，在选MOS管的时候首先看看你的MOS管需要过多大的电压，然后对比手册上VDS这个参数，再预留2倍左右的余量就可以了，这个MOS管是100V的，所以使用50V以下的导通应用。
手册上还有个参数是VGS，这个参数有正负两个值，使用的时候GS两端的电压和SG两端的电压不能超过该值，一般MOS管大于4.5V就能导通，当然也有2.6V就能导通的，这个管子GS两级电压要小于±20V。

2、看过流能力

这个参数主要看ID电流值，这个管子在25℃能通过17A电流，但是到100℃只能通过12V，实际应用应该预留2-3倍的余量，所以这个管子应该用于8A以下的场合。

3、看内阻

MOS管也是有内阻的，内阻当然是越小越好，这样MOS管消耗的功率就小，既能降低管子发热量又能减低损坏，何乐而不为呢。这个管子50mΩ内阻，这个值比较大了，现在很多能做到10mΩ以下了。

4、看开关速度

很多MOS管作为开关管，这个参数就有要求了，但这个没有在手册上直接写明，需要看各个参数值。

这里三个电容是工艺问题产生的的电容，又称为寄生电容（毕竟是寄生在别人身上而且去不掉的嘛）。开通瞬间和关断瞬间都会给电容充放电，所以也就成了主要影响开关速度的关键。这三个电容没有想象的那么简单，下一篇会详细讲解这三个电容的影响。有些手册会写明了开关时间，基本都是ns级别的了。