电路设计及芯片选型

1、电源电路
LT3083IQ：稳压器，单电阻设置。
输出电流：3A
输入电压范围：1.2V 至 23V (DD-Pak 和 TO-220 封装)
低压差电压：310mV
最小负载电流：1mA
输出电压： 0V 至 23V
LT3080-MS8E-1.1A：稳压器，单电阻设置。
输出电流：1.1A
输入电压范围：1.2V 至36V (DD-Pak 和 TO-220 封装)
低压差电压：350mV
最小负载电流：0.5mA
输出电压： 0V 至 36V
2、LED
LT VH9G：
电压 - 正向（Vf）（典型值） 2.85V
电流- 测试： 5mA
波长 - 主 532nm
波长 - 峰值 525nm
封装/外壳 0402（1005 公制）
大小/尺寸 1.00mm 长 x 0.55mm 宽
高度（最大值） 0.35mm
3、SRAM
IS61wv102416BLL-10MI
容量：1M*16bit
使用：1024K Words by 16bits
读写时间：10ns
封装类型：BGA、TSOP
N25Q128A13ESE4：
时钟：108MHZ
数据位宽：4bit
电压：2.7V到3.6V
接口：SPI
容量：128M （256扇区，64KB每扇区；65536页，256字节每页）
4、232 or 422 or 485
MAX3232EUE+：
供电：3.0V至5.5V、
特点：低功耗、真RS-232收发器，使用四只0.1µF外部电容
速率：120Kbps
封装：TSSOP-16
通道：2收2发（232）
ADuM5402CRWZ：
供电：5.0 V或3.3 V
功率：500 mW
隔离通道数量：4（2收2发）
速率：25Mbps（NRZ）
封装：SOIC
安全：2500Vrms
ADuM6400CRWZ：
供电：5.0 V或3.3 V
功率：400 mW
隔离通道数量：4
速率：25Mbps（NRZ）
封装：SOIC
安全：5000Vrms
AM26LV32EIDR：
供电：3.3 V
通道数量：4收（422）
速率：32M
封装：SOIC
安全：±15KV（HBM）
AM26LV31EIDR：
供电：3.3 V
驱动：30ma
通道数量：4发（422）
速率：32M
封装：SOIC
安全：±15KV（HBM）
SN65HVD78DR：
供电：3.3 V
通道数量：1（半双工）
速率：50M
封装：SOIC
安全：±15KV（HBM）
5、电平转换
SN74LV1T126：
电压：1.8V到5.5V
驱动：5V输出，8ma；3.3V输出，7ma；1,8V输出，3ma
速率：50MHZ
安全：2000V人体模型
封装：DCK（表贴）
特点：单向电压转换
LSF0101DRYR：
速率：容性负载≤ 30pF 时，100MHz；容性负载为 50pF 时， 40MHz
特点：实现以下电压之间的双向电压电平转换
– 0.95V ↔ 1.8/2.5/3.3/5 V
– 1.2V ↔ 1.8/2.5/3.3/5V
– 1.8V ↔ 2.5/3.3/5V
– 2.5V ↔ 3.3/5V
– 3.3V ↔ 5V