Nordic--nrf52832--FDS

Flash访问模块FDS用法及常见问题—nRF5 SDK模块系列一
nRF52832-QFAA，他的 Flash 内存如下表所示：

Flash总大小	页数	页大小	块大小	每个页包含的块数量
512 KByte	128 page	4 KByte	512 Byte	8

裸机 FLASH 读写

 nRF52832 的非易失性存储器是通过非易失性存储器控制器(NVMC)来操作的，NVMC提供了写或擦除 Flash 区域和 UICR 的功能。

 写 Flash 之前必须通过写寄存器 CONFIG.WEN 来使能 Flash 的写操作，同样，擦除 Flash之前必须通过写寄存器 CONFIG.EEN 来使能 Flash 的擦除操作。

 对 Flash 进行操作的时候要特别注意，不能同时使能 Flash 的写和擦除，否则将导致无法预测的后果。

1. 写 Flash

• 使能 Flash 的写后，每次写入一个字(32 位)到字对齐的地址上。
• NVMC 只能将 Flash 中的各个位由“1”写成“0”，而不能将“0”写成“1”，这也是为什么 Flash 写之前要进行擦除操作，擦除操作可将 Flash 的各个位写成“1”。
• 写 Flash 时，只允许写字操作，写入字节或半字都会导致硬件错误，所以，当我们写入的数据不够一个字时，应该按照一个字来处理。
• 写一个字所需要是的时间是： $$t_{WRITE}$$ ，在写的过程中，CPU 是被挂起的。

2. 擦除 Flash 的页面

• 使能 Flash 擦除后，可通过 ERASEPAGE 寄存器来按页擦除 Flash。
• 擦除页面时候，向 ERASEPAGE 寄存器写入这个页面的起始地址即可擦除该页面。
• 擦除一个页面所需要是的时间是：t ERASEPAGE ，在擦除的过程中，CPU 是被挂起的。

3. 写用户信息配置寄存器 器(UICR)

• 用户信息配置寄存器 UICR 的写入方式和 Flash 一样。
• 写 UICR 后，只有复位后新的值才会生效。
• 写 UICR 所需要是的时间是：$$t_{WRITE}$$ ，在写的过程中，CPU 是被挂起的。

4. 擦除 用户信息配置寄存器(UICR)

• 使能擦除后，通过 ERASEUICR 寄存器来擦除 UICR。
• 擦除 UICR 后，UICR 所有的位被设置成“1”。
• 擦除 UICR 所需要是的时间是： $$t_{ERASEPAGE}$$，在擦除的过程中，CPU 是被挂起的。

5. 全部擦除(Erase all)

• 使能擦除后，通过 ERASEALL 寄存器一次全部擦除 Flash 和 UICR。但是工厂信息配置寄存器 FICR 不会被擦除。
• 全片擦除所需要的时间是：$$t_{ERASEALL}$$ ，在擦除的过程中，CPU 是被挂起的。写和擦除所需的时间

表 8-2：写和擦除所需的时间

符号	描述	最小值	典型值	最大值	单位
$$t_{WRITE}$$	写一个字	67.5	—	338	µs
$$t_{ERASEPAGE}$$	擦除一个页面	2.05	—	89.7	ms
$$t_{ERASEALL}$$	全部擦除	6.72	—	295.3	ms

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BLE 程序中 FLASH 操作

 NRF52832 的 FLASH 数据存储可以通过 Nrodic 提供的两个程序模块来实现。

• FDS(Flash Data Storage)。
• Flash Storage。

 相对于 Flash Storage 来说，FDS 对数据的组织性和安全性更强，并且在 SDK 的 BLE例子中使用 FDS 来存储配对相关的信息，因此，FDS 是我们学习 NRF52832 必须要掌握的内容，本节详细解释 FDS 程序模块的特点和应用流程，并通过编写一个使用 FDS 的例子程序来说明如何在我们的程序中加入和应用 FDS 存储数据。