（随笔）在STM32中的UCOS操作系统下，进行FLASH代替EEPROM的操作，需要注意的问题

在进行项目的时候，由于所需要存储的参数值较少，出于成本的考虑，我们往往会将FLASH代替EEPROM来进行参数的存储。那么如何实现该操作？

首先，STM32芯片是提供了能够进行FLASH操作的固件库的，例如stm32f10x_flash.c，那么我们在使用时就可以直接调用STM32相关的库来实现读写的功能。

需要注意以下几个问题：

1.注意需要根据自己的芯片型号更改存放参数的FLASH的地址，最好把需要保存的参数存在靠后的页内，因为FLASH里面烧录的都是程序代码和参数变量。如果在写的时候覆盖了程序代码或参数变量，那么就会造成程序的崩溃。
一般来说，FLASH的存储地址以0x0800 0000开始，按页分区，例如一页有2K个地址，每个地址存一个字节，因此一页可以存2K字节个数据，共有128页，因此FLASH的地址可以存256KB的数据

2.在UCOS操作系统中，在进行FLASH的擦除和写入操作时，最好关闭UCOS的内核中断。

3.FLASH的读操作不需要关闭内核中断，而FLASH的写操作需要关闭内核中断，需要打开写保护，然后清除FLASH中断标志位，按半字（16位）进行写入后，打开写保护。

4.在实际使用的过程中，一直擦除失败，经过查看FLASH寄存器，发现不是因为没有接触写保护，各个状态也都正常。后来经过排查，发现是在进行系统时钟初始化的时候，没有配置好Flash Latency周期并启用预取缓冲区，因此造成FLASH擦写时出错。可以通过STM32库函数中的system_stmf10x.c中的SetSysClock()函数进行配置，正确配置后，FLASH即可正常的擦写了。这是由于FLASH的预取缓冲区的配置时和芯片的主频密切相关的，因此需要根据主频进行相应的配置才能正常工作。