组原实验报告【RAM存储器实验】

一、实验目的:
1.了解半导体静态随机读写存储器SRAM的工作原理及其使用方法
2.掌握半导体存储器的字、位扩展技术
3.用proteus设计、仿真基于AT89C51单片机的RAM扩展实验

二、实验内容:
1.用SRAM 6116芯片扩展AT89C51单片机RAM存储器(2KB)
选择8个连续的存储单元的地址,分别存入不同内容,做单个存储器单元的读/写操作实验。
2.用SRAM 6116芯片扩展AT89C51单片机RAM存储器(8KB)
必须使用译码器进行扩展;
选择8个连续的存储单元的地址,分别存入不同内容,做单个存储器单元的读/写操作实验。

三、实验要求:
1.根据各种控制信号的极性和时序要求,设计出实验线路图。
2.分别设计实验步骤。
3.给出字扩展实验中每片SRAM芯片的地址范围。

四、实验步骤(proteus中运行详细过程):

(一)查看元件库
AT89C51、74LS373、6116

(二)各元器件作用:
AT89C51:低电压,高性能CMOS8位单片机,片内含4k bytes的可反复擦写的只读程序存储器(PEROM)和128 bytes的随机存取数据存储器(RAM)

74LS373:为三态输出八D锁存器两种线路中的一种。

6116:6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间200ns,24线双列直插式封装。

(三)连接电路图

(1)按老师发的电路仿真图进行连接,电路图如下:
组原实验报告【RAM存储器实验】_第1张图片
(2)选中AT89C51芯片,在Program File中添加ram.hex文件,然后点击确定。
组原实验报告【RAM存储器实验】_第2张图片

(3)单击下面的运行按钮,再点击暂停按钮,如下:
在这里插入图片描述
(4)查看AT89C51的内存:
组原实验报告【RAM存储器实验】_第3张图片

(5)查看存储器6116的存储内容:
组原实验报告【RAM存储器实验】_第4张图片

(6)AT89C51中的程序,程序里的数字可以修改,就是存储器中输入的数字:
组原实验报告【RAM存储器实验】_第5张图片

五、实验小结:(不少于200字)

这次仿真实验让我了解了半导体静态随机读写存储器SRAM的工作原理及其使用方法,也掌握了半导体存储器的字、位扩展技术,学会用proteus设计、仿真基于AT89C51单片机的RAM扩展实验。也让我明白了线选法是如何让将数据存储在存储器中。并且地址分配是由片选信号的来源不同而划分的,线选法就是直接将系统地址线作为存储器芯片的片选信号。而译码法又分为全译码法和部分译码法,两者各有优缺点。全译码器是指将地址总线中除片内地址一位的全部高位地址接到译码器的输入端口参与译码;部分译码器是将高位地址线中的一部分(而不是全部)进行译码,产生片选信号。全译码法便于扩容,部分译码法简单。用SRAM 6116芯片扩展AT89C51单片机RAM存储器(8KB)必须使用译码器进行扩展;选择8个连续的存储单元的地址,分别存入不同内容,做单个存储器单元的读/写操作实验。起初连线之后运行会出现错误,原来是没有把ram.hex文件放入AT89C51中,然后运行调试成功。

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