从2005年三星作为第一个进入SSD市场的巨头，到现在短短15年，SSD已经成为非常普遍的存储介质了，相对于机械硬盘HDD，SSD在IOPS上提升了数百倍，带宽提升了数倍，如今NVMe硬盘又进一步将普通SATA SSD的性能提升了近十倍。不管是普通的SATA SSD，还是NVMe SSD，对于大多数人说，只是介质和性能上的变化，普通人甚至IT工程师会简单地认为，只要使用了SSD，存储系统访问数据的性能也会随之获得数百倍性能的提升，事实真的是这样吗？这个问题，其实很像是这样的，只要装上法拉利的发动机，车就一定快了吗？我想只有法拉利的工程师知道车身任何一度的变化，会增加多少风阻，影响百分之几秒的速度。
本文用尽可能简单的描述，为你讲清楚你想知道而不知道的SSD那些事。
你应该知道的SSD背景知识
SSD 颗粒（Cell），页（Page）和块（Block）。SSD中有两个重要的部件，一个是颗粒（Cell），另一个是控制器，关于控制器我们一会儿再说，先说说存储单元。当今的主流SSD使用的是NAND颗粒（当然有更新的SSD使用了3D NAND）来存储数据，每个颗粒可以存储1bit（SLC），2bit（MLC），3bit（TLC）甚至4bit（QLC）数据。颗粒存储的bit数越多，其密度越高，制造成本越低，但是颗粒的耐久性（或者叫寿命，擦写次数）越低。而SSD读取或写入的最小单元并不是颗粒，而是由一组颗粒组成的页（Page） ，典型的Page大小是4KB。SSD有一个重要特性，是颗粒一旦被写入，就不能覆盖写了，这点和基于磁介质的机械盘不同。为了能重复写，SSD需要对已经写入过的颗粒进行擦除操作（erase） ，而擦除的最小单元，既不是颗粒，也不是页，而是由若干个页组成的块（Block） 。SSD块的典型大小是512KB或1MB，即128 Page或256 Page。SSD的其它行为以及存储系统针对SSD的优化手段，都跟这几个基本的特性有密切关系。
数据操作和垃圾回收（GC） 。数据操作包括读和写，其中读延时相对稳定，写延时会发生一些变化，取决于磁盘的使用状况，正常情况下，都是几十微秒。与机械硬盘相比，SSD多了一个擦除的操作，擦除以block为单位，这点前面已经谈到了。SSD中的垃圾回收（Garbage Collection）用于回收那些已经使用过，但数据已经不再有效的那些block。SSD控制器中会设置一个可用block数量的门限，当可用block低于这个门限时，就会启动垃圾回收。
损耗均衡（Wear Leveling）和写放大（Write Amplification） 。SSD block可执行有限次数的擦除操作，也称之为编程/擦写（P/E）周期，当写入非常频繁时，擦除操作发生得更频繁。一旦达到P/E最大数量，这个block就不再能写入了。对于SLC，可擦除次数通常是10万次，MLC通常是1万多次，而对于TLC块，则是几千。为了确保容量可用和写延时性能，SSD控制器需要平衡各个block的擦除次数，这是SSD控制器的核心工作之一，也称为“损耗均衡”机制。在损耗均衡期间，数据会在各个block之间移动，然后进行擦除。由于擦除的是不再有效的数据，而移动的是有效数据，因此SSD中有效数据通常会大于实际实际写入的数据，这称之为写放大WA（Write Amplification）。
SSD控制器，说了那么多，大家应该能感受到，SSD绝对不是大家想象的找个颗粒把数据写下来，需要读的时候再取出去那么简单。读写寻址、page在SSD内部的移动、block擦除、写放大的控制、损耗如何均衡，这些都是SSD控制器完成的。尤其是大家可能会困惑，数据从原来的page移动到新的地方，旧的page可能就被擦除了，上层程序怎么找得到新的地址？这就是控制器的处理逻辑，而且这里面很多逻辑甚至固化到电路里了，例如物理地址到虚拟地址的转换（上层应用就是通过虚拟地址寻址的，所以底层地址的变化完全不影响上层应用），都是电路级别的操作，延时都是微秒甚至纳秒级别。
针对SSD的存储系统优化
面向SSD这种介质与HDD存在的典型差异，存储系统也要针对SSD有针对性的优化，这些优化的效果体现在很多方面，包括性能的提升、SSD使用效率的提升、SSD寿命的延长等不同方面。以下我们列举几个常见的针对SSD存储系统的优化手段。
尽可能利用本地的SSD性能
在HDD时代，HDD的延时在毫秒级别，几乎可以抹杀掉网络延时带来的影响，所以只要保证网络协议、网络交互的优化，应用程序大可以访问远端的HDD。但是SSD的延时已经到了微秒级别，除非使用极低延时的高性能网络，否则访问远端的SSD数据的延时会明显收到影响。对于分布式存储而言，必须一方面在数据分散放置的同时，尽可能地利用本地SSD的能力，即在数据放置策略上做权衡。
在这方面，我们结合元数据放置算法和策略，对YRCloudFile分布式文件系统的元数据采用了一部分的本地化SSD访问。同时，还将推出智能缓存技术，将大量热数据缓存在指定的SSD本地设备中，进一步降低访问延时。
控制SSD容量使用量
SSD容量的使用量（即磁盘到底写多满）会影响写放大系数和GC导致的写入性能损耗。
在GC期间，需要擦除block以创建空闲block。擦除block需要保留在block内保存着有效数据的page，才能获得空闲block。创建一个空闲block可能需要压缩和挪动多个block内的page，具体数量取决于block的“满”程度。
假设SSD容量已使用A%，根据经验，为了擦除一个block，需要挪动和压缩1/1-A个block。显然，SSD的使用率越高，将需要移动更多的block以释放一个block，这将占用更多资源并导致更长的IO等待时间。例如，如果A = 50％，则仅压缩2个block以释放一个block。如果A = 80％，则大约移动5个block数据以释放一个block。如果考虑上block的page，需要操作的数据则更加惊人，假设每个块都有P个page，并且所有page都包含有效数据，则每次Garbaged Collected都需要复制PA/1-A个page。如果每个block包含128个page，当A=50%时，每个blcok都需要复制128个page，而当A = 80％时，则为512个page，当A = 95％时，则达到2432 page。如下图所示：
SD磁盘使用容量和GC移动page数量的关系
控制SSD使用容量，对于GC效率、磁盘寿命、上层应用写延时都有实际意义。
使用多线程进行小IO访问
SSD具有多个级别的内部并行处理机制，包括：channel, package, chip和plane。单个IO线程是无法充分利用所有这些并行特性的，只使用单个线程进行小IO访问，会导致整体访问延时更长。使用多个线程并发访问，则可以利用SSD内部的这些并发特性。SSD上对本机命令队列（Native Command Queuing）的支持可以有效地在多个channel之间分配读写操作，从而提高内部IO并发性。因此，上层应用或存储系统尽可能并发访问小IO，是非常有益于读写性能提升的。如果针对单个应用很难进行多线程并发，则可以考虑多个应用对数据进行并发访问，从而充分使用SSD的并发特性。
例如，我们使用一个应用程序执行10KB写IO，结果下图所示。使用一个IO线程，它可以达到115MB / s。两个线程基本上使吞吐量加倍；和4个线程再次加倍。使用8个线程可达到约500MB / s。
那么问题来了，“小”IO有多小。通常认为，充分利用SSD内部并行性的IO上限，会视为“小”的分界。例如，SSD的page大小为4KB，SSD可支持的并行度为16，则阈值为64KB。
总结
SSD已经被存储系统大量使用，通常，采用SSD的存储系统会比使用HDD的存储系统具有更好的性能，但是，在不经过针对性优化时，单纯地将SSD视为一个普通的存储设备使用，不能充分发挥出SSD，尤其是NVMe的极致性能。这是因为SSD的工作原理与普通的HDD有较大的差异，访问特性上也不同。为了充分利用SSD带来的性能优势，现代的存储系统，尤其是分布式存储系统都需要对SSD做针对性的优化。
通过这篇小文，希望让大家对SSD的工作原理，以及基本的优化手段有所了解，我们也会在以后的文章中，分享更多针对SSD编程，提升性能的手段和实践。