2019-07-03

晶体管FQP3P50参数资料：

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：23nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：660pF @ 25V

功率耗散（最大值）：85W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.9 欧姆 @ 1.35A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220AB

封装/外壳：TO-220-3