下面以 Nichicon 的两个比较好的电解电容说明,一个是 LED 灯专用超长寿电容,一个是小型开关电源用电容的指标,前者保证的 DF=0.2,后者保证的 DF=0.1,根据测试频率 120Hz 来看,电容的 Xc=1/2πfc = 28.23Ω,DF=Rs/Xc,因此对应的 ESR 就是 5.36Ω 和 2.82Ω。
二、电容的温度特性
1、简述
电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感、电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。这就是耦合。
-------------------------------------------------------
2、旁路电容与去耦电容
1)去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合
2)旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1uF、0.01uF等,而去耦合电容一般比较大,是10uF或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。
3、旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源,这应该是他们的本质区别。
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。
数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF,这个电容的分布电感的典型值是5μH,0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。
0.1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感,要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C=1/——即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。
分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。一般是指在印制板或其他形态的电路形式,在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小,但可能对电路形成一定的影响。在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响,尤其是在工作频率很高的时候。也成为寄生电容,制造时一定会产生,只是大小的问题。布高速PCB时,过孔可以减少板层电容,但会增加电感。分布电感是指在频率提高时,因导体自感而造成的阻抗增加。
-------------------------------------------------------
3、总结
旁路实际上就是给高频干扰提供一个到地的能量释放途径,不同的容值可以针对不同的频率干扰。所以一般旁路时常用一个大贴片加上一个小贴片并联使用。对于相同容量的电容的Q值我认为会影响旁路时高频干扰释放路径的阻抗,直接影响旁路的效果,对于旁路来说,希望在旁路作用时,电容的等效阻抗越小越好,这样更利于能量的泄放。
数字电路输出信号电平转换过程中会产生很大的冲击电流,在供电线和电源内阻上产生较大的压降,使供电电压产生跳变,产生阻抗噪声(亦称开关噪声),形成干扰源。
1)冲击电流的产生
(1)输出级控制正负逻辑输出的管子短时间同时导通,产生瞬态尖峰电流
(2)受负载电容影响,输出逻辑由“0”转换至“1”时,由于对负载电容的充电而产生瞬态尖峰电流。瞬态尖峰电流可达50mA,动作时间大约几ns至几十ns
2)降低冲击电流影响的措施
1)降低供电电源内阻和供电线阻抗
2)匹配去耦电容
3)何为去耦电容
在IC(或电路)电源线端和地线端加接的电容称为去耦电容
4)去耦电容如何取值
去耦电容取值一般为0.01uF~0.1uF,频率越高,去耦电容值越小
5)去耦电容的种类
独石 玻璃釉 瓷片 钽
6)去耦电容的放置
去耦电容应放置于电源入口处,连线应尽可能短。
有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
1、聚酯(涤纶)电容(CL)
电容量:40p~4uF
额定电压:63~630V
主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差
应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路
常见涤纶电容器耐压的标注是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)。
字母=数值,如下所示:
A=1.0 B=1.25 C=1.6 D=2.0 E=2.5 F=3.15 G=4.0 H=5.0 J=6.3 K=8.0 Z=9.0
例:2A代表 1.0*10^2=100V ;1J代表 6.3*10^1=63V
-------------------------------------------------------
2、聚苯乙烯电容(CB)
电容量:10p~1uF
额定电压:100V~30KV
主要特点:稳定,低损耗,体积较大
应用:对稳定性和损耗要求较高的电路
-------------------------------------------------------
3、聚丙烯电容(CBB)
电容量:1000p~10uF
额定电压:63~2000V
主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差
应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路
-------------------------------------------------------
4、云母电容(CY)
电容量:10p~0.1uF
额定电压:100V~7kV
主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小
应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路
-------------------------------------------------------
5、高频瓷介电容(CC)
电容量:1~6800pF
额定电压:63~500V
主要特点:高频损耗小,稳定性好
应用:高频电路
低频瓷介电容(CT)
电容量:10p~4.7uF
额定电压:50V~100V
主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差
应用:要求不高的低频电路
-------------------------------------------------------
6、玻璃釉电容(CI)
电容量:10p~0.1uF
额定电压:63~400V
主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)
应用:脉冲、耦合、旁路等电路
-------------------------------------------------------
7、铝电解电容
电容量:0.47~10000uF,电容的单位里uF也有写作mFB或mFD(其中mF指microFarad微法拉)
额定电压:6.3~450V
主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大
应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等
-------------------------------------------------------
9、钽电解电容(CA)、铌电解电容(CN)
电容量:0.1~1000uF
额定电压:6.3~125V
主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容
应用:要求高的电路中代替铝电解电容
-------------------------------------------------------
10、校正电容
-------------------------------------------------------
11、薄膜介质微调电容器
可变电容量:1~29pF
主要特点:损耗较大,体积小
应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿
-------------------------------------------------------
12、陶瓷介质微调电容器
可变电容量:0.3--22pF
主要特点:损耗较小,体积较小
应用:精密调谐的高频振荡回路
-------------------------------------------------------
13、独石电容
独石电容的特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等
应用范围:广泛应用于电子精密仪器.各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路
容量范围:0.5pF~1uF
耐压:二倍额定电压
里面说独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,型性能挺好,但容量小,一般小于0.2uF,另一种叫II型,容量大,但性能一般
就温漂而言:独石为正温系数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小。
就价格而言:钽、铌电容最贵,独石、CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵。云母电容Q值较高,也稍贵。
-------------------------------------------------------
14、MLCC电容
MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors)是片式多层陶瓷电容器英文缩写。是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极),从而形成一个类似独石的结构体,故也叫独石电容器。
比如西安市西无二电子信息集团有限公司(西安九元高压电容器厂)的CT1-100V-100nF
电容量:1V 1kHz 25 100nF±3%
损耗角正切:1V 1kHz 25 tgδ<0.4%
温度特性:-20~+85≤±0.5%
耐电压:50Hz 400VAC@1min(空气中进行)
绝缘电阻:≥106MΩ
-------------------------------------------------------
15、特氟龙电容
一般在240℃~260℃之间连续使用,具有显著的热稳定性。
------------------------------------------------------------------------------------------------------------
六、日本红宝石电容