STM32F1和STM32F4这两个系列都是单片机达人的心头好,到底那个好

STM32F1和STM32F4这两个系列都是单片机达人的心头好,到底那个好呢

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大家都知道GD32是国内开发的一款单片机,能够说是国货之光,据说开发的人员是来自ST公司的,GD32也是以STM32作为模板做出来的。所以GD32和STM32有很多地方都是一样的。

不过GD32毕竟是不同的产品,不可能所有东西都沿用STM32,有些自主开发的东西还是有区别的。

相同的地方我们就不说了,下面列一下不同的地方。

01内核

GD32采用二代的M3内核,STM32主要采用一代M3内核,下图是ARM公司的M3内核勘误表,GD使用的内核独有752419这一个BUG。

02主频

使用HSE(高速外部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大72M

使用HSI(高速内部时钟):GD32的主频最大108M,STM32的主频最大64M

主频大意味着单片机代码运行的速度会更快,项目中假如须要进行刷屏,开方运算,电机控制等操作,GD是一个不错的选择。

03供电

外部供电:GD32外部供电范围是2.6-3.6V,STM32外部供电范围是2-3.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。

内核电压:GD32内核电压是1.2V,STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低,所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

04Flash差异

GD32的Flash是自主研发的,和STM32的不一样。

GD Flash执行速度:GD32 Flash中程序执行为0等待周期。

STM32 Flash执行速度:ST系统频次不访问flash等待时长关系,0等待周期,当0<>z;1等待周期,当24MHz<>K≤48MHz;2等待周期,当48MHz<>K≤72MHz。

Flash擦除时长:GD擦除的时长要久一点,官方给出的数据是这样的“GD32F103/101系列Flash 128KB及以下的型号,Page Erase典型值100ms,实际测量60ms左右。”对应的ST产品Page Erase典型值 20~40ms。

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05功耗

从下面的表能够看出GD的产品在相同主频情况下,GD的运行功耗比STM32小,但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。

06串口

GD在不间断发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle,而STM32没有

GD的串口在发送的时候停下位独有1/2两种停下位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停下位模式。

GD和STM32 USART的这两个差异对通信根本没有影响,只是GD的通信时长会加长一点。

07 ADC差异

GD的输写阻抗和采样时长的设置和ST有一定差异,相同配置GD采样的输写阻抗相对来说要小

08 FSMC

STM32独有100Pin以上的大容量(256K及以上)才有FSMC,GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

09 103系列RAM&FLASH大小差别

GD103系列和ST103系列的ram和flash

10 105&107系列STM32和GD的差别

GD的105/107的选择比ST的多很多

11抗干扰能力

关于这一点,官方没有给出,笔者也是在做项目标时候偶然发现的。

项目原本是用STM32F103C8T6,后来换成GDF103C8T6。这两个芯片的引脚完全一致,单片机用了的两个邻近的引脚作为SPI的时钟引脚和数据输出引脚,然后发现STM32的SPI能正常通讯,GD的不行;经过检查发现PCB板SPI的铜线背面有两根IIC的铜线经过,信号应该是受到影响了。

用示波器看了一下引脚的电平,发现的确是,STM32和GD的数据引脚波形都不正常,但是STM32的波形要好很多,波形虽然差了点,但是SPI通讯依然正常。而GD则不能正常通讯了。

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然后我们又把SPI的通讯速率减慢,发现STM32的数据引脚很快就恢复正常波形了,而GD的依然差,直到速率降到很低才恢复正常。初步狐疑是STM32内部对引脚有做一些滤波的电路,而GD则没有。虽然用的这个电路板自身布线有些不合理,但是在同样恶劣的环境下,STM32依然保证了通讯的正常,而GD不行,这在一定程度上说明了GD的抗干扰才能不如STM32。

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