silvaco器件仿真(一)-----宽禁带材料的雪崩击穿

仿真宽禁带材料(4H-SiC,Eg300=3.26ev)雪崩击穿的击穿,由于电流过小可以通过配置系统提高求解的浮点精度和仿真速度。

go atlas simflags="-P 4 -256"

silvaco器件仿真(一)-----宽禁带材料的雪崩击穿_第1张图片

silvaco器件仿真(一)-----宽禁带材料的雪崩击穿_第2张图片

si_sic10x:cathode负压0到-25,acathode接0,anode接大电阻1e20,(SiC暗态雪崩击穿)

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silvaco器件仿真(一)-----宽禁带材料的雪崩击穿_第4张图片

击穿电压约:20.347v, 击穿场强:2.8e6V/cm

si_sic0x1:cathode接0,acathode接大电阻1e20,anode负压0到-25,(SiC/Si异质结暗态雪崩击穿)

silvaco器件仿真(一)-----宽禁带材料的雪崩击穿_第5张图片silvaco器件仿真(一)-----宽禁带材料的雪崩击穿_第6张图片

 没能击穿,

原因:没有设置硅材料的相关击穿模型,以及如果模型中有两个材料要发生雪崩击穿,如何设置。

si_sicx10:cathode接大电阻1e20,acathode接0,anode负压0到-25,(Si基pn结暗态雪崩击穿)

仿真宽禁带雪崩击穿的内容

silvaco器件仿真(一)-----宽禁带材料的雪崩击穿_第7张图片silvaco器件仿真(一)-----宽禁带材料的雪崩击穿_第8张图片

图一:n 1e19 p 1e17 击穿电压:21.37v 击穿场强:8e5v/cm         0.000874073

图二:n 2e19   p 1e15    击穿电压:174.84V       击穿场强:2.5e5v/cm   0.0156753

silvaco器件仿真(一)-----宽禁带材料的雪崩击穿_第9张图片

0.07um,碳化硅材料,Eg300=3.26  impact aniso sic4h0001 e.side 击穿电压为20.04V

 雪崩击穿

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