SRAM和DRAM的比较

SRAM的特点

静态随机存储器（ SRA ）的存储元是用双稳态触发器 来记忆信息的，因此即 使信息被读出后，它仍保持其原状态而不需要再生（非破坏性出） 。但是，只要电源被切断 原来的保存信息便会丢失，故它属易失性半导体存储器。

SRAM 的存取速度’快，但集成度低，功耗较大，所以一 般用来组成高速缓冲存储器。

DRAM的特点

与SRAM存储器的存储原理不同，动态随机存储器(DRAM)是利用存储元电路中栅极电容上的电荷来存储信息的，常见的DRAM 的基本存储电路通常分为三管式和单管式。DRAM采用地址复用技术，地址线是原来的1/2，且地址信号分行、列两次传送。

相对于SRAM来说，DRAM具有容易集成、位价低、容量大和功耗低等优点，但是 DRAM的存取速度比SRAM慢，一般用来组成大容量主存系统。

DRAM 电容上的电荷一般只能维持 2ms ，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失

此，每隔 一定 时间必须刷新，通常取 2ms ，这个时间称为刷新周期。

DRAM的刷新方式有：

集中刷新：快到2ms的时候，停⽌⼀切对内存的读取操作，使⽤0.5μs×64对64⾏依次刷新，这段时 间称为死时间

 分散刷新：在每个存取操作后绑定⼀个刷新操作，新的系统的存取周期内前半部分存取，后半部分刷新

异步刷新：刷新周期除以⾏数，2ms ÷ 64 作为每次刷新的周期