7n65场效应管参数-7N65参数代换KIA4665

一、7N65场效应管参数
KIA7N65功率MOSFET是采用起亚半导体先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术已特别定制,以尽量减少对状态的阻力,提供优越的开关性能,并在雪崩和换相模式下承受高能脉冲。设备非常适合于高效率的开关电源,有源功率因数校正基于半桥的拓扑结构。

(1)RDS(on)=1.2Ω @ VGS=10V

(2)低栅电荷(典型的29Nc)

(3)高坚固度

(4)快速切换

(5)100%雪崩试验

(6)改进的dv/dt能力
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二、7N65参数代换
7N65参数可代换KNB4665

knx4665b-通道增强模式硅栅电源MOSFET是专为高压设计的。高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源基于半桥拓扑的功率因数校正电子灯镇流器。

(1)RDS(ON),typ=1.1Ω@VGS=10V

(2)符合ROHS要求

(3)低栅电荷最小化开关损耗

(4)快速恢复体二极管
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