14、RH850 F1 RAM存储器介绍

前言:

       RAM——程序运行中数据的随机存取（掉电后数据消失）整个程序中，所用到的需要被改写的量，都存储在RAM中，“被改变的量”包括全局变量、局部变量、堆栈段，此专栏会有针对SPI的工作原理的详细介绍。

一、RH850_F1包含以下RAM

1.1、本地RAM 

       本地内存可高速访问。DeepSTOP模式不保留本地RAM中的值。

1.2、保留RAM

       保留RAM是本地RAM的一部分，也可以高速访问。保留RAM中的值在DeepSTOP模式下被保留。

       此外，除了写访问外，即使电源电压(REGVCC)低于POC电压，只要电压不低于RAM保持电压(VVLVI)，保留RAM中的数据就会被保留。

1.3、每个RAM的访问时间

访问方式	RAM	首先访问(CPUCLK)	持续访问(CPUCLK)
取指令	本地RAM	5	5
	保留RAM	5	5
读方式	本地RAM	1	1
	保留RAM	1	1
写方式	本地RAM	1	1
	保留RAM	1	1

       注意：根据指令前后的组合，有可能改变上表的访问时钟数。 当RAM访问不对齐时，这些数字会增加。

二、存储器配置

2.1、本地RAM和保留RAM的内存映射

       下图说明了2 MB、1.5 MB、1 MB和768KB的代码闪存的映射设备。RH850/F1的代码flash的用户区分为8kb和32kb块，选择作为擦除的单位。一个单独的32 KB块也被合并为扩展块用户区。用户区和扩展用户区可作为存储用户程序的区域。

2.2、数据映射闪存

       RH850/F1的数据闪存的数据区划分为64字节块作·除的一个单位。图显示了数据闪存的映射关系。

三、Flash相关的操作模式

 

四、RAM使用说明

       在访问启用了ECC错误检测和纠正的本地或保留RAM之前，请通过将访问大小设置为最大比特长度来初始化RAM。

       在初始化RAM之前访问它可能会导致检测到ECC错误。如果初始化没有在最大访问单元中处理，例如，当以8位或16位单元访问32位字RAM时，可能会检测到ECC错误。