OD Space Effect & LOD Effect & Poly Space Effects

OSE和LOD这两个效应都是STI引起的，所以就放在一起讲。

OSE: OD Space Effect, 扩散区/有源区间距效应

从0.20米以下的半导体制程，利用STI的方法来实现gate的隔离，STI到不同gate的距离不同从而对器件的性能产生的影响就叫OSE。

什么是LOD Effect? 从0.25um以下的制程，元件与元件间是利用较先进的STI(Shallow Trench Isolation)的方法来做隔绝。由于STI的作法，会在substrate上挖出一个沟槽，再填入二氧化矽当绝缘层。这个在substrate挖出沟槽再填入二氧化矽的动作会产生应力的问题，由于FOX(Field Oxide)到Poly Gate的距离不同，应力对MOS的影响也不同。所以当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS，因为扩散区长度不同造成其电流不同。如下图一，两个MOS (A和B)其Gate Length与Gate Width皆为0.5um和2um，但由于扩散区分别为1um和1.5um，所以其电流大小并不同。

最后说一下PSE也就是Poly spacing effect。如下如所示，target gate对 1st poly的影响和2nd poly的影响是不同的。这个效应就叫做PSE

要避免以上说的这些效应就是要使的版图每个geta到source和drain的距离一致。如果没有办法做到所有都一致，也要让critical device的layout一致。

另外对于同一块OD，边缘加入dummy device也就是要保证layout的一致性