VASP学习实录2

在我们知道VASP计算时的几个基本文件后（INCAR,KPOINTS,POSCAR,POTCAR），就可以进行VASP的基本计算，首先我学习了bigbro的Learn VASP The Hard Way，后尝试了进行VASP最基本的计算之一---结构优化，这里首先贴出结构优化的INCAR

SYSTEM = Name

ISTART = 1 是否读取波函数，一般默认为1

ICHARG = 1 #是否读取电荷密度，一般情况可设为1，在计算能带dos时，scf结束后需要改为11，读取电荷密度

PREC = Accurate #计算精度

ENCUT = 400.0 #截断能

# ENAUG = 583.575

# ISPIN = 2 #是否打开自旋，若有磁性则为2，无为1

#LORBIT = 11 #态密度轨道投影，在计算dos时若需要更多的信息则取11

#以下为杂化泛函HSE06计算时所需要开启的参数，这里只需要知道杂化泛函在计算能带时比pbe更加精准，但同时花费的时间更多就ok了

# LHFCALC = T

# HFSCREEN = 0.2

# ALGO= All

# TIME = 0.4

NELM = 100; 电子scf循环的最大步数

# NELMIN = 2 电子scf循环的最小步数

EDIFF = 1E-08 stopping-criterion for ELM #能量的收敛标准

EDIFFG = -0.001 #力的收敛标准

NSW = 300 离子的最大步数

IBRION = 2 ionic relax: 0-MD 1-quasi-New 2-CG 算法

ISIF = 4 stress and relaxation 结构优化的内容，根据不同情况选取0.1.2.3.4等

ISYM = 2 #对称性

ISMEAR = 0 #轨道分数占据

SIGMA =0.05

EMIN = -15.

EMAX = 10.

ADDGRID = .TRUE.

NPAR = 6

LPLANE = .TRUE.

LCHARG = .FALSE.

LWAVE = .FALSE.

# VOSKOWN = 1 #跟磁性相关

# AMIX = 0.2

# BMIX = 0.0001

# NEDOS = 1000 在计算dos时打开，值越大，做出的dos图曲线越好

# PSTRESS = 0 开启压力的参数，这里0指0gpa

#MAGMOM = #材料存在磁性则打开，具体数值需要自己设置

#LDA+U #以下参数为在计算某些体系材料时需要加U的参数，里面的所有数值都需要自己设置

#LDAU = .TRUE.

#LDAUTYPE = 2

#LDAUL = -1 2 -1

#LDAUU = 0.0 2.0 0.0 0.0 #LDAUU and LDAUJ is useless in LSCC

#LDAUJ = 0.0 0.0 0.0 0.0

#LDAUPRINT = 2

#LASPH = .TRUE.

#LMAXMIX = 6

#LSCC########### 打开加U计算的开关

#LSCC = .TRUE.

#LSCCL = -1 3 2 -1

#LDIPOL=.TRUE.

#Electric field#加电场所需参数

LDIPOL =.TRUE.

IDIPOL = 1 #1/2/3#

EFIELD = 100 #electric size#

在有了INCAR之后，只需准备KPOINTS，POTCAR,POSCAR就可以了

一般POSCAR是需要自己去找的，或者在Material Studio里面弄

KPOINTS的设置可以参考大师兄给

POTCAR有直接在赝势库里拿就好了，一般赝势库分有很多种，一般情况下大家都选用PBE的赝势库

注：在进行VASP最基本的计算前需要对linux系统有一定的了解，同时熟悉一定的操作指令，最好先去了解linux的基本操作指令后再去进行操作